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龙图腾网获悉宁波天璇新材料科技有限公司申请的专利一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119923173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510408709.3，技术领域涉及：H10K71/15；该发明授权一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用是由郭晗;周宓设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用。该掺杂方法包括将过渡金属催化剂、N型有机半导体和阴离子掺杂剂溶液在基底上混合反应，制备被掺杂的有机半导体，其中，阴离子掺杂剂溶液的制备方法包括将氢氧化铵类阴离子、酰胺类溶剂和分子筛混合，常温下反应8~24h，过滤取其清液，得到阴离子掺杂剂溶液。过渡金属催化剂、N型有机半导体和阴离子掺杂剂溶液之间的掺杂反应非常迅速，该有机半导体的n型掺杂方法具有优异的掺杂效率，以及制备的被掺杂的有机半导体的电导率得到有效提升。

本发明授权一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种有机半导体的n型掺杂方法，其特征在于，将过渡金属催化剂、N型有机半导体和阴离子掺杂剂溶液在基底上混合反应，制备被掺杂的有机半导体；其中，所述阴离子掺杂剂溶液的制备方法包括：将包括氢氧化铵类阴离子和酰胺类溶剂的原料，与分子筛混合，常温下反应8~24h，过滤取其清液，制得所述阴离子掺杂剂溶液；所述氢氧化铵类阴离子包括式I所示结构的化合物， 式I，式中，R11、R12、R13、R14各自独立地包括取代或未取代的C1-12烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的苄基中的至少一种，且R11、R12、R13、R14不同时为甲基；所述酰胺类溶剂包括式Ⅱ所示结构的化合物， 式Ⅱ，式中，R15、R16各自独立地包括氢、取代或未取代的C1-4烷基、取代或未取代的苯基中的至少一种，R17包括氢、取代或未取代的C1-4烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的氨基中的至少一种；所述N型有机半导体包括PDTzTI、PBTzI、PDTzTIT-2F、PDTzTIT、N2200、PBTI、f-BTI2TEG-FT、NDI-EH、PDI-C6C7中的至少一种，其结构如式Ⅲ所示： 式Ⅲ，式中，R1包括2-己基癸基，R2包括2-辛基十二烷基，R3包括，R4包括2-乙基己基，R5包括2-己基庚基，n1、n2、n3、n4、n5、n6、n7、n8各自独立地选自5-40的整数。

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