买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市源微创新实业有限公司申请的专利固态存储设备高速写入方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119917030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510400769.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权固态存储设备高速写入方法及系统是由刘海波;申佳;刘碧蓉设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本固态存储设备高速写入方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及数据处理技术领域，具体为一种固态存储设备高速写入方法及系统。写入方法包括以下步骤：在固态存储设备的存储单元两端施加特定脉冲电压，使得电子能够通过绝缘层进行量子隧穿，生成量子隧穿条件，用于低功耗写入数据；对存储单元进行预处理，预处理的步骤包括初始化、状态检测和绝缘层修复，确保每个存储单元均处于适合写入的状态。本发明的固态存储设备的高速写入方法及系统，解决了现有技术中固态存储设备在高速写入过程中低功耗和高稳定性难以兼顾的问题。

本发明授权固态存储设备高速写入方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种固态存储设备高速写入方法，其特征在于，所述写入方法包括以下步骤：在所述固态存储设备的存储单元两端施加特定脉冲电压，使得电子能够通过绝缘层进行量子隧穿，生成量子隧穿条件，用于低功耗写入数据；对所述存储单元进行预处理，所述预处理的步骤包括初始化、状态检测和绝缘层修复，确保每个所述存储单元均处于适合写入的状态；通过自适应量子隧穿算法确定最优写入参数，所述自适应量子隧穿算法根据所述固态存储设备的当前状态和环境条件动态调整电压和电流，以优化写入速度；采用并行量子隧穿同时写入多个所述存储单元，每个所述存储单元独立控制，以减少写入延迟；对写入过程进行实时监控和反馈，通过内置传感器检测写入过程中电子的运动状态和所述存储单元的物理特性，根据反馈结果调整所述写入参数；使用校验算法校验写入所述固态存储设备的数据，以确保数据的完整；所述生成量子隧穿条件的步骤包括：在所述存储单元两端施加高频率、低幅值的脉冲电压，以减少写入过程中的热量生成，同时提高量子隧穿效率；调整脉冲参数，所述脉冲参数包括频率范围及幅值范围，调整所述频率范围为100MHz至200MHz，所述幅值范围为0.5V至1.5V，通过控制所述脉冲参数，以快速稳定地生成量子隧穿条件；所述生成量子隧穿条件时，使用自适应脉冲调整算法，所述自适应脉冲调整算法根据所述存储单元的物理特性动态调整所述频率范围及所述幅值范围，所述自适应脉冲调整算法表达式为： ，其中，Vt为脉冲电压，V0为基准电压，an和bn是幅值参数，fn和gn是频率参数，ϕn和δn是相位参数，n表示第n个存储单元，N为存储单元的总数；对存储单元进行预处理的步骤包括：对所述存储单元进行电荷平衡，通过施加反向电压消除所述存储单元中的电荷积累，用于确保每个所述存储单元均处于相同的初始状态；使用检测器对所述存储单元的状态参数进行实时检测，所述状态参数包括存储单元的电阻值、电容值和温度值；对所述存储单元的绝缘层进行电荷陷阱修复，使用激光束扫描所述绝缘层，消除陷阱电荷，以提高隧穿效率；所述电荷陷阱修复过程中，使用反馈控制算法，根据激光束扫描结果调整激光参数，所述反馈控制算法的表达式为： ，其中，Ilasert为激光电流，Ptarget为目标功率，Pactualt为实际功率，Runitt为存储单元的电阻值，Tunitt为存储单元的温度值，k1和k2是根据绝缘层材料特性调整的系数；所述自适应量子隧穿算法包括：在写入前，通过机器学习模型输入包括所述存储单元的电阻值、电容值、温度值和之前写入的数据特征以对所述固态存储设备的当前状态进行评估，得到评估结果；根据所述评估结果，动态调整写入参数，步骤包括：计算所述当前状态的特征向量x；使用预训练的神经网络模型f进行预测，输出最优写入参数y；采用以下表达式计算最优写入参数： ，其中，A是特征权重矩阵，B是偏置向量，C是校正权重矩阵，D是校正偏置向量;写入过程中，实时更新机器学习模型，以适应存储设备的动态变化；所述采用并行量子隧穿同时写入多个所述存储单元的步骤包括：使用多核控制电路同时写入多个所述存储单元，每个所述存储单元独立控制，以同步和独立写入操作；采用时分复用将所述写入操作分解为多个时间片，每个所述时间片内写入一组所述存储单元，以提高写入效率；每个所述时间片的最优写入顺序采用以下表达式计算： ，其中，s表示最优写入顺序，是一个存储单元的索引向量，表示每个时间片内写入单元的顺序，s'表示候选写入顺序，表示可能的写入顺序，ds'n表示第n个存储单元到控制电路的距离，Rs'n表示第n个存储单元的电阻值，Cs'n表示第n个存储单元的电容值，log（1+Cs'n）表示对电容值取对数并加1，以避免分母为0的情况，并平衡电容值的影响。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市源微创新实业有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道银田工业区西发C区5栋三楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。