合肥国家实验室;中国科学技术大学霍永恒获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥国家实验室;中国科学技术大学申请的专利利用离子束溅射制备薄膜的方法、离子束溅射镀膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510388513.2，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权利用离子束溅射制备薄膜的方法、离子束溅射镀膜装置是由霍永恒;钟东勳;李珂宇;潘建伟设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用离子束溅射制备薄膜的方法、离子束溅射镀膜装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种利用离子束溅射制备薄膜的方法、离子束溅射镀膜装置，属于离子束溅射技术领域。该方法包括：通过离子束溅射方式对衬底表面进行第一镀膜处理，在衬底表面交替地沉积第一膜层和第二膜层，得到第一叠层膜；对第一叠层膜进行第一原位退火，得到原位退火后的第一叠层膜；通过离子束溅射方式对原位退火后的第一叠层膜表面进行第二镀膜处理，在第一叠层膜表面交替地沉积第三膜层和第四膜层，得到第二叠层膜；对第二叠层膜进行第二原位退火，得到薄膜。本发明的方法对于多叠层膜制备过程，能够降低叠层膜内部的热噪声。同时通过两次原位退火，减少了第一叠层到第二叠层取样、转移、装载过程中带来的对薄膜的污染。
本发明授权利用离子束溅射制备薄膜的方法、离子束溅射镀膜装置在权利要求书中公布了：1.一种利用离子束溅射制备薄膜的方法，其特征在于，包括：通过离子束溅射方式对衬底表面进行第一镀膜处理，在所述衬底表面交替地沉积第一膜层和第二膜层，得到第一叠层膜；对所述第一叠层膜进行第一原位退火，得到原位退火后的第一叠层膜；通过离子束溅射方式对所述原位退火后的第一叠层膜表面进行第二镀膜处理，在所述第一叠层膜表面交替地沉积第三膜层和第四膜层，得到第二叠层膜；对所述第二叠层膜进行第二原位退火，得到薄膜；其中，在交替沉积第一膜层和第二膜层时，使用射频偏压为衬底施加偏压；在交替沉积第三膜层和第四膜层时，使用微波离子源轰击第一叠层膜表面；所述第一叠层膜和所述第二叠层膜中各个膜层的材料不同；所述第一膜层为非晶硅或氢化非晶硅，所述第二膜层为氮化硅；在制备所述第一叠层膜之前，还包括：对所述衬底进行原子氢清洗；所述衬底为晶体硅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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