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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种异相集成的Ga₂O₃高迁移率反相器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836000B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510309182.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种异相集成的Ga₂O₃高迁移率反相器及其制备方法是由叶建东;杨晔芸;任芳芳;顾书林;张荣设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异相集成的Ga₂O₃高迁移率反相器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其制备方法。包括从下至上依次设置的半绝缘β‑Ga2O3衬底，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层，κ‑AlxGa1‑x2O3层，κ‑Ga2O3层，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层、κ‑Ga2O3层和κ‑AlxGa1‑x2O3层的中部设置有隔离沟槽，隔离沟槽将κ‑AlxGa1‑x2O3层上表面区域分为耗尽型器件区和增强型器件区；耗尽型器件区包括耗尽型漏极金属层、耗尽型栅极金属层和耗尽型源极金属层；增强型器件区包括增强型源极金属层、p型异质介质和增强型栅极金属组合层以及增强型漏极金属层；本发明的反相器实现高迁移率、高击穿场强。

本发明授权一种异相集成的Ga₂O₃高迁移率反相器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：利用MOCVD技术在半绝缘β-Ga2O3衬底（1）上制备非故意掺杂β-Ga2O3漂移层（2）；S2：利用剥离转移技术或者外延生长技术在非故意掺杂β-Ga2O3漂移层（2）表面依次制备κ-Ga2O3层（4）和κ-AlxGa1-x2O3层（3），κ-Ga2O3层（4）和κ-AlxGa1-x2O3层（3）之间通过极化诱导形成二维电子气；S3：利用RIE-ICP刻蚀技术对κ-AlxGa1-x2O3层（3）表面中部进行刻蚀，刻蚀至半绝缘β-Ga2O3衬底（1）表面，形成隔离沟槽（14）；S4：利用光刻技术，在κ-AlxGa1-x2O3层（3）表面定义耗尽型漏极区域、耗尽型源极区域、增强型漏极区域和增强型源极区域，通过电子束蒸发技术依次生长Ti、Au和Ni金属层，形成耗尽型漏极金属层（6）、耗尽型源极金属层（7）、增强型漏极金属层（9）与增强型源极金属层（10），耗尽型漏极金属层（6）、耗尽型源极金属层（7）、增强型漏极金属层（9）与增强型源极金属层（10）分别和κ-AlxGa1-x2O3层（3）形成欧姆接触；S5：利用光刻技术，在κ-AlxGa1-x2O3层（3）表面定义耗尽型栅极区域，采用电子束蒸发技术依次生长Pt和Au金属层，形成耗尽型栅极金属层（8），并与κ-AlxGa1-x2O3层（3）形成肖特基接触；S6：利用光刻技术在κ-AlxGa1-x2O3层（3）表面定义增强型栅极区域，采用磁控溅射技术生长p型异质介质（5）；S7：利用电子束蒸发技术在p型异质介质（5）表面自对准依次生长Pt和Au金属层，形成增强型栅极金属层（11）；S8：使用电子束蒸发技术分别在耗尽型漏极金属层（6）、耗尽型源极金属层（7）、耗尽型栅极金属层（8）、增强型漏极金属层（9）、增强型源极金属层（10）和增强型栅极金属层（11）依次生长Ti和Au金属层，形成引脚焊盘（13），耗尽型源极金属层（7）与增强型漏极金属层（9）以引脚焊盘实现互联，并一同连接于耗尽型栅极金属层（8），即可获得异相集成的Ga2O3高迁移率反相器。

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