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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510293284.6，技术领域涉及：C30B15/34；该发明授权导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉是由李早阳;王君岚;刘立军设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉在说明书摘要公布了：本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉，涉及晶体生长技术领域；所述方法包括：基于包括待设计模具的晶体生长炉和氧化镓晶体确定结晶界面；在待设计模具的顶部边沿与结晶界面边沿之间的最大距离小于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下，对待设计模具进行一次凹槽处理；在最大距离等于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下，对待设计模具进行二次凹槽处理，直至结晶界面满足目标条件；在最大距离小于或者等于目标距离并且结晶界面满足目标条件的情况下，将待设计模具确定为目标模具。本发明实施例提高了氧化镓晶体的晶体生长过程的稳定性和晶体生长质量。

本发明授权导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉在权利要求书中公布了：1.一种导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法，其特征在于，所述方法包括：基于包括待设计模具的晶体生长炉和利用所述晶体生长炉生长的氧化镓晶体，确定所述氧化镓晶体对应的结晶界面；所述结晶界面为所述氧化镓晶体和处于所述待设计模具顶部的氧化镓熔体之间的固液交界面；获取所述待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间的最大距离；所述最大距离为所述待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间垂直距离的最大值；确定所述结晶界面是否满足目标条件；所述目标条件为所述结晶界面整体凸向所述待设计模具且所述结晶界面与所述待设计模具未粘连；在所述最大距离小于目标距离且所述结晶界面不满足所述目标条件的情况下，根据所述目标距离，对所述待设计模具进行一次凹槽处理，以使一次凹槽处理后的待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间的最大距离等于所述目标距离和或所述结晶界面满足所述目标条件；所述目标距离为在所述氧化镓熔体的表面张力和重力保持平衡的情况下所述待设计模具的顶部与所述结晶界面之间的极限距离；在所述最大距离等于所述目标距离且所述结晶界面不满足所述目标条件的情况下，根据所述结晶界面，对所述待设计模具进行二次凹槽处理，直至所述结晶界面满足所述目标条件；二次凹槽处理后的待设计模具的顶部边沿与所述结晶界面的边沿之间的最大距离等于所述目标距离；在所述最大距离小于或者等于所述目标距离并且所述结晶界面满足所述目标条件的情况下，将所述待设计模具确定为目标模具。

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