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龙图腾网获悉四方光电股份有限公司申请的专利一种宽域型氧传感器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510289553.1，技术领域涉及：G01N27/41；该发明授权一种宽域型氧传感器芯片及其制备方法是由熊友辉;刘章明;项铭禹;杨宇;顾岚冰设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽域型氧传感器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽域型氧传感器芯片及制备方法，芯片基体层由第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层组成；第一介质层上设有泵氧外电极；第一介质层和第二介质层之间设有泵氧内电极；第二介质层和第三介质层之间设有参考电极，第三介质层和第四介质层之间设有加热器；其中参考电极的电极部与泵氧内电极在第三介质层的投影方向上至少部分重合且参考电极的电极部设有离子阻挡层。本发明通过设置参考电极的位置，并在参考电极上设置离子阻挡层来减小泵氧内电极的上、下电极到参考电极的离子扩散路径差异，使得芯片不仅能达到目标内阻，测试精度高，而且在动态气氛中λ=1.0附近测试数据准确，没有杂波信号影响。

本发明授权一种宽域型氧传感器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽域型氧传感器芯片，其特征在于：包括基体层和设于基体层的气体扩散通道，所述基体层由上至下包括第一介质层（1）、第二介质层（2）、第三介质层（3）和第四介质层（4）；所述第一介质层（1）上设有泵氧外电极（101）；所述第一介质层（1）和第二介质层（2）之间设有泵氧内电极（201），所述泵氧内电极包括共电极引线的上泵氧内电极（201a）和下泵氧内电极（201b）；所述泵氧内电极（201）内设有一反应腔室（202），以供待测气体进入所述反应腔室（202）在所述泵氧内电极（201）处发生催化反应；所述基体层中具有一个供待测气体流入的进气口（5），所述进气口（5）与所述反应腔室（202）连通形成所述气体扩散通道；所述第二介质层（2）和第三介质层（3）之间设有参考电极（301）；所述参考电极（301）包括直接相连的电极部（301a）和引线部（301b），所述电极部（301a）与所述泵氧内电极（201）在所述第三介质层（3）的投影方向上至少部分重合；所述电极部（301a）上方还设有一离子阻挡层（302），所述离子阻挡层（302）在长度方向上超出所述电极部（301a）端部，在宽度方向上完全覆盖所示参考电极（301）的电极部（301a），以改变所述泵氧内电极（201）到所述参考电极（301）的离子扩散路径；所述第三介质层（3）和第四介质层（4）之间设有加热器（401）。

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