深圳市两岸半导体科技有限公司李忠获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市两岸半导体科技有限公司申请的专利一种SMD防硫化植物灯及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119802513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510287456.9,技术领域涉及:F21V15/00;该发明授权一种SMD防硫化植物灯及其制备方法是由李忠;方干;张玉琼设计研发完成,并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SMD防硫化植物灯及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及LED植物灯技术领域,解决了现有技术中防硫化能力差、涂层不均匀的问题,提供了一种SMD防硫化植物灯及其制备方法。该植物灯包括:若干LED灯珠,其中,所述LED灯珠包括支架和发光芯片,不同的LED灯珠的发光芯片的发光波长相同或不同;LED灯珠的表面通过真空镀膜设有第一涂层,所述第一涂层具有第一预设厚度,所述第一涂层为的材料为氧化铝、氧化硅、或氮化硅中的一种或多种的组合,所述支架上设置有功能区域,所述功能区域通过真空镀膜设置有第二涂层,所述第二涂层具有第二预设厚度,所述第一涂层的表面还设置有第三涂层。本发明通过采用真空镀膜技术及涂层材料,为SMD植物灯提供了更加可靠的防护,提高了产品的稳定性和使用寿命。
本发明授权一种SMD防硫化植物灯及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种SMD防硫化植物灯的制备方法,其特征在于,所述SMD防硫化植物灯包括:若干LED灯珠,其中,所述LED灯珠包括支架和发光芯片,所述发光芯片贴装在支架上,不同的LED灯珠的发光芯片的发光波长相同或不同;所述LED灯珠的表面通过真空镀膜设有第一涂层,所述第一涂层具有第一预设厚度,所述第一涂层的材料为氧化铝、氧化硅、或氮化硅中的一种或多种的组合,所述支架上设置有功能区域,所述功能区域通过真空镀膜设置有第二涂层,所述第二涂层具有第二预设厚度,所述第一涂层的表面还设置有第三涂层,所述第三涂层具有第三预设厚度,所述第一涂层和第二涂层的材料相同,所述第一预设厚度大于所述第三预设厚度,所述第二预设厚度大于所述第一预设厚度;制备方法包括:清洁所述支架的表面,并对清洁后的支架进行干燥;在所述支架的功能区域进行真空镀膜,形成具有第二预设厚度的第二涂层;将发光芯片固定于清洁和干燥后的所述支架上,得到若干LED灯珠;对各所述LED灯珠进行真空镀膜处理,在所述LED灯珠的表面形成具有第一预设厚度的第一涂层,包括:根据所述第一涂层的材料,获取用于真空镀膜的靶材料,其中,所述靶材料为固态二氧化硅颗粒;将所述LED灯珠和所述靶材料分别放置于真空镀膜机的反应室中的指定位置;根据所述第一涂层的对应的所述靶材料以及所述第一预设厚度,获取真空镀膜参数,其中,所述真空镀膜参数包括:蒸发源温度、目标真空度以及气体充入速率,真空镀膜参数通过以下步骤获取:根据所述靶材料的物理化学性质和所述第一预设厚度,将真空镀膜过程划分为至少三个镀膜阶段,其中,不同的镀膜阶段的厚度增长量和或目标沉积速度不同;针对每一镀膜阶段,获取若干满足相应的目标沉积速度的所述真空镀膜参数的初始参数组合;将厚度增长量最大的镀膜阶段作为基准阶段;根据预设筛选规则,对基准阶段的初始参数组合进行筛选,得到目标参数组合;获取其余镀膜阶段的初始参数组合与所述基准阶段的目标参数组合的差异程度;根据所述差异程度,确定其余镀膜阶段的目标参数组合;根据各镀膜阶段的目标参数组合,确定真空镀膜参数;根据所述真空镀膜参数,对所述靶材料进行蒸发,以在所述LED灯珠的表面形成第一涂层;当涂层的厚度达到第一预设厚度时,停止真空镀膜过程并对所述LED灯珠进行冷却;对各所述LED灯珠进行真空镀膜处理,在所述第一涂层的表面形成具有第三预设厚度的第三涂层;对各所述LED灯珠进行后处理,得到所述SMD防硫化植物灯。
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