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龙图腾网获悉深圳市奥斯珂科技有限公司申请的专利多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510286990.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法、装置及设备是由尹春设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法、装置及设备，包括以下步骤，基于预设的芯片布局图对多个已减薄的存储裸片进行位置排布，得到排布芯片阵列；通过高精度对准设备对所述排布芯片阵列中各个目标存储裸片进行键合面对准，得到对准芯片阵列；对所述对准芯片阵列进行热压键合操作，得到键合芯片堆叠体；对所述键合芯片堆叠体进行边缘切割，得到切割芯片堆叠体；所述通过微间距互连技术对所述切割芯片堆叠体进行金属填充互连，得到互连芯片堆叠体；采用异构集成封装技术对所述互连芯片堆叠体进行真空树脂封装，得到目标封装存储器芯片堆叠体结构，解决了如何确保多层堆叠存储器之间能够建立稳定且高效的电气连接的技术问题。

本发明授权多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法，其特征在于，包括以下步骤：基于预设的芯片布局图对多个已减薄的存储裸片进行位置排布，得到排布芯片阵列；通过高精度对准设备对所述排布芯片阵列中各个目标存储裸片进行键合面对准，得到对准芯片阵列；运用热压键合技术对所述对准芯片阵列进行热压键合操作，得到键合芯片堆叠体；利用飞秒激光微加工技术对所述键合芯片堆叠体进行边缘切割，得到切割芯片堆叠体；通过微间距互连技术对所述切割芯片堆叠体进行金属填充互连，得到互连芯片堆叠体；采用异构集成封装技术对所述互连芯片堆叠体进行真空树脂封装，得到目标封装存储器芯片堆叠体结构；通过预设的解析算法对所述预设的芯片布局图进行层间互连路径解析，得到互连密度分布图及芯片功能划分表；基于所述互连密度分布图对所述多个已减薄的存储裸片进行初始位置分配，得到初始排布芯片阵列；基于所述芯片功能划分表对所述初始排布芯片阵列进行层级划分，得到分层芯片阵列；通过空间填充曲线算法控制预设的高精度机械臂对所述分层芯片阵列中每一层芯片进行位置排布，得到排布芯片阵列；基于预设的互连电路图对所述切割芯片堆叠体进行通孔位置规划，得到通孔位置分布图，并对所述通孔位置分布图进行电磁场仿真分析，得到电磁干扰分布数据；通过飞秒激光烧蚀技术，基于所述电磁干扰分布数据对所述切割芯片堆叠体进行盲孔加工，得到盲孔芯片堆叠体，并对所述盲孔芯片堆叠体进行盲孔深度测量，得到盲孔深度数据；基于所述盲孔深度数据对所述盲孔芯片堆叠体进行深硅刻蚀工艺处理，得到通孔芯片堆叠体，并对所述通孔芯片堆叠体进行通孔侧壁粗糙度分析，得到侧壁粗糙度数据；通过选择性原子层沉积技术，基于所述侧壁粗糙度数据和通孔深度数据对所述通孔芯片堆叠体进行绝缘层沉积，得到绝缘涂层芯片堆叠体，并对所述绝缘涂层芯片堆叠体进行绝缘层厚度均匀性计算，得到厚度均匀性数据；基于所述厚度均匀性数据对所述绝缘涂层芯片堆叠体进行平坦化工艺处理，得到平坦化芯片堆叠体；通过电化学沉积技术对所述平坦化芯片堆叠体进行金属填充互连，得到互连芯片堆叠体。

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