恭喜上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司郝茂盛获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利半导体结构、器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110620034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910843531.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构、器件及其制备方法是由郝茂盛;胡建正;袁根如;马艳红;张楠;陈朋设计研发完成，并于2019-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构、器件及其制备方法，半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面，为含Al氮化物层，晶向为0001晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中，将成核层划分为多个间隔排布的成核层平台；外延层为含Al氮化物层，形成于成核层平台上并覆盖成核层平台的上表面及沟道的开口。本发明通过沟道及成核层的结构，减少外延层在沟道上成核的几率，且进一步的通过成核层及外延层的材质的选择，增加外延层在成核层平台上成核的几率，以进一步的增大外延层在成核层平台及沟道上成核的几率差，制备具有良好的平整性及完整性的外延层。
本发明授权半导体结构、器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；于所述衬底上形成成核层，所述成核层覆盖所述衬底的上表面，且所述成核层为含Al氮化物层，所述成核层的晶向为0001晶向；于所述成核层的上表面形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层以形成刻蚀窗口，然后以所述图形化的光刻胶层作为掩膜，刻蚀所述成核层及所述衬底以形成多个间隔排布的沟道，所述沟道贯穿所述成核层，且所述沟道的底部位于所述衬底中，以将所述成核层划分为多个间隔排布的成核层平台；于所述成核层平台上形成外延层，所述外延层为含Al氮化物层，所述外延层覆盖所述成核层平台的上表面，且所述外延层覆盖所述沟道的开口。
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