恭喜三星电子株式会社曹健浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109801845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811327957.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件制造方法是由曹健浩;金大中;金在文;朴文汉;车泰昊;韩在钟设计研发完成，并于2018-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底突出并沿第一方向延伸的鳍型图案；在衬底上形成覆盖鳍型图案的有限部分的场绝缘层，使得场绝缘层露出鳍型图案的另外的有限部分；在场绝缘层和鳍型图案上形成栅极结构，栅极结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向不同；在场绝缘层的第一区域中形成包含氮元素的第一阻挡层，其中，第一区域由栅极结构露出，第一区域与栅极结构相邻并沿第二方向延伸；在第一阻挡层上和在栅极结构的侧壁上形成栅极间隔物。
本发明授权半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底突出并沿第一方向延伸的鳍型图案；在所述衬底上形成覆盖所述鳍型图案的有限部分的场绝缘层，使得所述场绝缘层露出所述鳍型图案的另外的有限部分；在所述场绝缘层和所述鳍型图案上形成栅极结构，所述栅极结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；在形成所述栅极结构之后，在所述场绝缘层的第一区域中形成第一阻挡层，所述第一区域由所述栅极结构露出，所述第一区域与所述栅极结构相邻并沿所述第二方向延伸，所述第一阻挡层包括氮元素；以及在形成所述第一阻挡层之后，在所述第一阻挡层上和所述栅极结构的侧壁上形成栅极间隔物，使得所述第一阻挡层是在形成所述栅极结构之后并且在形成所述栅极间隔物之前形成的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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