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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利存储装置、半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811015659.9，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权存储装置、半导体器件及其制造方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储装置、半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储装置、半导体器件及半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供第一芯片和多个第二芯片，第一芯片具有第一焊盘，每个第二芯片均具有第二焊盘；将各第二芯片堆叠设置于第一芯片，分属不同第二芯片的第二焊盘与第一焊盘呈阶梯状分布，且分属任意相邻两第二芯片的第二焊盘在第一芯片上的投影部分重合；形成穿过各第二芯片的连接孔，连接孔露出第一焊盘，连接孔包括多个孔段，各孔段一一对应的位于各第二芯片内，且任一孔段露出其所在第二芯片的第二焊盘的部分区域；在连接孔内形成导电体，对应于连接孔的第一焊盘和各第二焊盘均与导电体连接。本公开的制造方法可简化工艺，降低成本。

本发明授权存储装置、半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供第一芯片和多个第二芯片，所述第一芯片具有第一焊盘，每个所述第二芯片均具有第二焊盘；将各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，任意相邻两所述第二芯片的边缘具有位错，所述第一芯片与相邻所述第二芯片的边缘也具有所述位错；分属不同第二芯片的第二焊盘与所述第一焊盘呈阶梯状分布，且分属任意相邻两所述第二芯片的第二焊盘在所述第一芯片上的投影部分重合，任一所述第二焊盘在所述第一芯片上的投影与所述第一焊盘存在部分重合；在距离所述第一芯片最远的所述第二芯片上覆盖光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成显影区，所述显影区在所述第一芯片上的投影与所述第一焊盘重合，且露出光刻胶层覆盖的第二焊盘的部分区域；在所述显影区向所述第一焊盘刻蚀，直至露出所述第一焊盘；剥离所述光刻胶层以形成穿过各所述第二芯片的连接孔，所述连接孔露出所述第一焊盘，所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，且任一所述孔段露出其所在第二芯片的第二焊盘的部分区域；在所述连接孔内形成导电体，对应于所述连接孔的所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。

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