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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于多晶硅场板的氮化镓晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411974804.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于多晶硅场板的氮化镓晶体管及其制备方法是由崔鹏;张铁瀛;汉多科·林纳威赫;韩吉胜;徐现刚设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多晶硅场板的氮化镓晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于多晶硅场板的氮化镓晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。晶体管包括由下到上依次设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上侧设置有P‑GaN帽层和第一钝化层，P‑GaN帽层上侧设置有栅极金属场板，栅极金属场板和第一钝化层上侧设置有第二钝化层，GaN缓冲层上两侧分别设置有源极金属和漏极金属，第一钝化层和第二钝化层上设置有凹槽，凹槽底部贯穿至AlGaN势垒层，源极金属上侧、第二钝化层上侧和凹槽内设置有多晶硅场板。本发明通过引入多晶硅场板，抑制界面电荷并显著提升器件的电学性能。

本发明授权一种基于多晶硅场板的氮化镓晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多晶硅场板的氮化镓晶体管，其特征在于，包括由下到上依次设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上侧设置有P-GaN帽层和第一钝化层，P-GaN帽层上侧设置有栅极金属场板，栅极金属场板和第一钝化层上侧设置有第二钝化层，GaN缓冲层上两侧分别设置有源极金属和漏极金属，第一钝化层和第二钝化层上设置有凹槽，凹槽底部贯穿至AlGaN势垒层，源极金属上侧、第二钝化层上侧和凹槽内设置有多晶硅场板； 衬底材料为碳化硅； 源极金属和漏极金属的材料为金属叠层TiAlNiAu； 第一钝化层和第二钝化层的材料为SiO2； GaN缓冲层的厚度为0.8-3μm； GaN沟道层的厚度为10-300nm； AlN插层的厚度为0.2-1.2nm； AlGaN势垒层的厚度为8-30nm，其中，Al的摩尔比为10-26%； p-GaN帽层的厚度为1-1000nm，掺杂浓度为1×1017-1×1020cm-3，掺杂源为镁或硼； 第一钝化层的厚度为50-400nm； 栅极金属场板的长度为1-5μm； 第二钝化层的厚度为50-300nm。

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