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龙图腾网获悉上海维攀微电子有限公司申请的专利一种大通流小面积的TVS器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786338B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411989971.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种大通流小面积的TVS器件的制造方法是由周伟伟;王行之;韩石磊设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大通流小面积的TVS器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体集成电路的设计及制造领域，具体为一种大通流小面积的TVS器件的制造方法。首先选电阻率合适的P型衬底，在其上用化学气相沉积工艺生长N型外延层。接着形成氧化层并刻蚀深隔离槽，填充多晶硅隔离。在隔离槽间离子注入形成P型阱，刻蚀沟槽后填充N型掺杂多晶硅并封口。去除表面层后高温扩散，再沉积通孔介质层并开出通孔填入导电金属。最后沉积金属并光刻刻蚀保留特定区域金属，钝化处理形成TVS器件。通过优化结构与工艺，实现大通流小面积，降低成本，满足小型化电子产品需求，提高电子设备性能与可靠性。

本发明授权一种大通流小面积的TVS器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种大通流小面积的TVS器件的制造方法，其特征在于，包括： 依据电阻率选择P型衬底，并在P型衬底上通过化学气相沉积工艺形成N型外延层； 通过热氧化或者化学气相沉积工艺在N型外延层表面形成氧化层，再通过光刻以及干法刻蚀工艺，在外延层刻蚀出若干深隔离槽并一直延伸至P型衬底； 采用原位多晶硅填充深隔离槽； 在深隔离槽之间采用离子注入工艺，形成P型阱； 通过光刻以及干法刻蚀工艺，在N型外延层刻蚀出沟槽a、b、c、d； 通过沉积工艺，将N型掺杂多晶硅填充至沟槽a、b、c、d并封口； 通过刻蚀工艺将表面N型掺杂多晶硅以及氧化层去除，再高温扩散推结至所需结电压性能； 通过沉积工艺，在N型外延层表面沉积氧化层为通孔介质层，在沟槽a、b、c、d位置对应的通孔介质层上通过光刻和刻蚀工艺开出通孔，并在通孔中填入导电金属； 通过沉积工艺，在通孔介质层上沉积金属，并通过光刻和刻蚀工艺，保留沟槽a和沟槽d上方，以及沟槽b和沟槽c之间的金属，再经最后钝化处理，形成所需TVS器件； 所述通孔介质层上沉积的金属为金属AlCu或AlSiCu。

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