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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种器件结构的制作和有效刻蚀方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772297.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种器件结构的制作和有效刻蚀方法及装置是由欧阳文森;王胜林;余威明设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种器件结构的制作和有效刻蚀方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种器件结构的制作和有效刻蚀方法及装置，涉及半导体制造工艺技术领域，包括：分别确定氢氟酸试剂对氧化硅层及氧化隔离结构的第一刻蚀速率以及其对氮氧化硅层的第二刻蚀速率、磷酸试剂对氮氧化硅层的第三刻蚀速率、对氮化硅层的第四刻蚀速率以及其对氧化硅层及氧化隔离结构的第五刻蚀速率；根据氧化隔离结构的目标损失量，计算需使用氢氟酸试剂刻蚀的部分氮氧化硅厚度及需使用磷酸试剂刻蚀的剩余氮氧化硅层厚度，得到满足氧化隔离结构需求厚度的磷酸总刻蚀时间和氢氟酸总刻蚀时间；使用磷酸试剂和氢氟酸试剂，按照相应的刻蚀时间完成对晶圆的刻蚀。本申请，能够在满足氧化隔离结构的厚度需求下，实现对晶圆的有效刻蚀。

本发明授权一种器件结构的制作和有效刻蚀方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种器件结构的制作和有效刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一经局部隔离氧化处理后的晶圆，所述晶圆中形成有氧化隔离结构以及从上至下依次堆叠的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、垫氧化层以及硅衬底； 量测所述晶圆，确定氧化硅层厚度、氮化硅层厚度和氧化隔离结构原始厚度； 分别确定氢氟酸试剂对氧化硅层及氧化隔离结构的第一刻蚀速率、氢氟酸试剂对氮氧化硅层的第二刻蚀速率、磷酸试剂对氮氧化硅层的第三刻蚀速率、磷酸试剂对氮化硅层的第四刻蚀速率以及磷酸试剂对氧化硅层及氧化隔离结构的第五刻蚀速率，其中，第三刻蚀速率及第五刻蚀速率是随磷酸连续刻蚀工作量变动的，磷酸连续刻蚀工作量为从磷酸新酸开始计算已累计刻蚀晶圆片数与磷酸刻蚀单个晶圆所需时间的乘积； 根据氧化隔离结构原始厚度和氧化隔离结构需求厚度，确定氧化隔离结构在连续刻蚀过程中厚度的目标损失量； 根据所述目标损失量、氧化硅层厚度、氮化硅层厚度、氮氧化硅层厚度及刻蚀速率，分别计算得到需要使用氢氟酸试剂刻蚀的部分氮氧化硅层厚度及刻蚀时间、需要使用磷酸试剂刻蚀的剩余氮氧化硅层厚度及刻蚀时间； 根据所述部分氮氧化硅层厚度及刻蚀时间和所述剩余氮氧化硅层厚度及刻蚀时间，得出使用氢氟酸依次刻蚀氧化硅层及氮氧化硅层的氢氟酸总刻蚀时间和使用磷酸依次刻蚀氮氧化硅层及氮化硅层的磷酸总刻蚀时间； 使用磷酸试剂和氢氟酸试剂，按照氢氟酸总刻蚀时间和磷酸总刻蚀时间完成对所述晶圆的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层的刻蚀，并得到具备目标厚度的氧化隔离结构。

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