江苏富乐华半导体科技股份有限公司孙甜获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种解决DCB铜岛间绝缘性不良的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119462193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411397712.1，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权一种解决DCB铜岛间绝缘性不良的方法是由孙甜;陆玉龙;李炎;曹海洋设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种解决DCB铜岛间绝缘性不良的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及覆铜陶瓷基板加工技术领域，具体为一种解决DCB铜岛间绝缘性不良的方法。包括以下工艺：将图形转移后存在绝缘性不良的DCB陶瓷基板置于含氧氛围或非含氧氛围下进行处理，得到成品。有益效果为：本发明是对于确认绝缘不良产品的补救处理办法，通过对图形转移后存在绝缘性不良的DCB陶瓷基板增加含氧氛围下的处理或非含氧氛围下的处理，有效的去除界面产物中导电的成分和导电成分分解后的副产物；使DCB铜岛电阻率增加，绝缘性增强，避免了在岛间施加高电压时产生过大的漏电流。
本发明授权一种解决DCB铜岛间绝缘性不良的方法在权利要求书中公布了：1.一种解决DCB铜岛间绝缘性不良的方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺：将图形转移后存在绝缘性不良的DCB陶瓷基板置于含氧氛围或非含氧氛围下进行处理，得到成品； 其中，所述含氧氛围下处理的过程包括以下步骤： S1：将图形转移后存在绝缘性不良的DCB陶瓷基板置于真空炉中，升温至700-980℃，进行第一阶段保温，继续升温至1070-1080℃，进行第二阶段保温，随炉冷却至室温，得到热处理DCB陶瓷基板； S2：将热处理DCB陶瓷基板置于上下喷淋式水平传动清洗设备中，使用硫酸进行清洗，干燥，得到成品； 其中，所述非含氧氛围处理的过程包括以下步骤： S1：氮气氛围下，将图形转移后存在绝缘性不良的DCB陶瓷基板置于隧道炉中加热，随炉冷却；得到热处理DCB陶瓷基板； S2：将热处理DCB陶瓷基板放入硫酸溶液中，清洗60-120s，洗涤、干燥，得到成品； 其中，非含氧氛围处理的过程中：所述加热的具体参数为：峰值温度为700-1080℃，保温时间为2-5min，全过程时间为15-45min。
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