上海积塔半导体有限公司吴剑波获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利用于制造半导体装置的方法以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118366850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410533992.8，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权用于制造半导体装置的方法以及半导体装置是由吴剑波;周玉华;冷国庆;李杰设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体装置的方法以及半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及用于制造半导体装置的方法以及半导体装置。一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括：提供半导体基底，在半导体基底中形成有沟槽；用飞秒激光束照射半导体基底的与沟槽的第一部分邻接的第二部分，使得半导体基底的第二部分发生非热熔化；以及在完成飞秒激光束的照射之后，对半导体基底进行热氧化处理，使得半导体基底的第二部分形成氧化层。
本发明授权用于制造半导体装置的方法以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括： 提供半导体基底，在所述半导体基底中形成有沟槽； 用飞秒激光束照射所述半导体基底的与所述沟槽的第一部分邻接的第二部分，使得所述半导体基底的所述第二部分发生非热熔化；以及 在完成所述飞秒激光束的照射之后，对所述半导体基底进行热氧化处理，使得所述半导体基底的所述第二部分形成氧化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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