武汉云岭光电股份有限公司郭娟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉云岭光电股份有限公司申请的专利基于对接生长工艺的激光器制作方法以及激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118508236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410526938.0，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权基于对接生长工艺的激光器制作方法以及激光器是由郭娟;李鸿建设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于对接生长工艺的激光器制作方法以及激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及光通信技术领域，提供了一种基于对接生长工艺的激光器制作方法，包括如下步骤：S1，于衬底上生长外延结构；S2，继续于外延结构上依次生长InGaAsP层、第一InP层以及阻挡层；S3，于阻挡层上生长掩膜层并进行刻蚀，将无掩膜区域刻蚀至InGaAsP层中；S4，采用硫酸系各向异性腐蚀液腐蚀InGaAsP层，再用稀释氢氟酸去掉侧壁氧化层，并保留表面的掩膜层；S5，接着采用对接工艺对接生长AlGaInAs层；S6，对接生长完毕后，利用氢氟酸去掉掩膜层；S7，接着去掉阻挡层后接着外延生长并制作收尾结构，完成激光器的制作。还提供一种激光器，采用上述的生长方法制得。本发明采用对接生长工艺，在InGaAsP层对接生长AlGaInAs层时，AlGaInAs层生长在阻挡层之下，避免氢氟酸与铝反应产生的钻蚀现象。
本发明授权基于对接生长工艺的激光器制作方法以及激光器在权利要求书中公布了：1.一种基于对接生长工艺的激光器制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，于衬底上生长外延结构； S2，继续于所述外延结构上依次生长InGaAsP层、第一InP层以及阻挡层； S3，于所述阻挡层上生长掩膜层并进行刻蚀，将无掩膜区域刻蚀至所述InGaAsP层中； S4，采用硫酸系各向异性腐蚀液腐蚀所述InGaAsP层，再用稀释氢氟酸去掉侧壁氧化层，并保留表面的掩膜层； S5，接着采用对接工艺对接生长AlGaInAs层，所述AlGaInAs层的生长高度不超过所述阻挡层； S6，对接生长完毕后，利用氢氟酸去掉所述掩膜层； S7，接着采用盐酸与磷酸的混合溶液去除所述阻挡层后外延生长并制作收尾结构，完成激光器的制作。
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