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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116859511B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310851298.6，技术领域涉及：G02B6/124；该发明授权一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器是由王希斌;车远华;孙士杰;谢宇航;王菲;张大明设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器在说明书摘要公布了：一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器及其制备方法，属于平面光波导器件及其制备技术领域。本发明由硅片衬底、在硅片衬底上制备的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的聚合物层间耦合层、在聚合物层间耦合层和二氧化硅下包层上制备的聚合物上包层组成，聚合物层间耦合层被包覆在聚合物上包层之中；上层氮化硅直波导芯由上层氮化硅直波导和上层二维光栅波导组成，下层氮化硅直波导芯层由下层二维光栅波导和下层氮化硅直波导组成。本发明充分发挥了氮化硅波导传输损耗低、透明窗口宽、热稳定性高的优势，以及聚合物材料种类多、制备工艺简单等优势，并且这两种材料还具备工艺成熟、相互兼容的特点，适合大规模制备生产，具有重要的应用前景。

本发明授权一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器在权利要求书中公布了：1.一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器，其特征在于：从下至上由硅片衬底（31）、在硅片衬底（31）上制备的二氧化硅下包层（32）、在二氧化硅下包层（32）上制备的聚合物层间耦合层（34）、在聚合物层间耦合层（34）和二氧化硅下包层（32）上制备的聚合物上包层（36）组成，聚合物层间耦合层（34）被包覆在聚合物上包层（36）之中；沿光的传输方向，在聚合物层间耦合层（34）中制备有上层氮化硅直波导芯层（35）和下层氮化硅直波导芯层（33）；上层氮化硅直波导芯层（35）下表面所在平面位置高于下层氮化硅直波导芯层（33）上表面所在平面位置，上层氮化硅直波导芯层（35）上表面与聚合物层间耦合层（34）上表面位于同一平面，下层氮化硅直波导芯层（33）下表面与聚合物层间耦合层（34）下表面位于同一平面；上层氮化硅直波导芯层（35）由上层氮化硅直波导（1）和上层二维光栅波导（2）组成，下层氮化硅直波导芯层（33）由下层二维光栅波导（4）和下层氮化硅直波导（5）组成；上层二维光栅波导（2）是在与硅片衬底（31）上表面平行的平面内刻蚀出的一系列长度和宽度都相等的凹槽结构，下层二维光栅波导（4）是在下层氮化硅直波导（5）的输入端与硅片衬底（31）上表面平行的平面内刻蚀出的一系列长度和宽度都相等的凹槽结构，在与光传输方向的平行方向和垂直方向凹槽均匀排布，且在该平行方向凹槽间隔距离与凹槽长度相同，在该垂直方向凹槽间隔距离与凹槽宽度相同；上层二维光栅波导（2）和下层二维光栅波导（4）的结构相同，沿光的传播方向和垂直于光的传播方向相邻凹槽彼此交错设置且相互间不交叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉林大学，其通讯地址为：130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。