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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116750980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310843212.5，技术领域涉及：C03C23/00；该发明授权一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法是由陈军;程鑫;王林;顿爱欢;徐学科;邵建达设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法在说明书摘要公布了：一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法，包括：对熔石英坯料的切割、铣磨成型、等离子体深刻蚀、等离子体浅刻蚀和离子束抛光进行后处理抛光。本发明全工艺加工过程采用非接触式加工，基于非接触式的等离子体刻蚀和离子束抛光处理工艺，直接对精密铣磨后的熔石英坯料进行组合加工，获得具有光滑表面和高损伤阈值的熔石英元件。

本发明授权一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法，其特征在于，该加工方法包括： A坯料切割：使用线切割机将熔石英坯料切割成图纸尺寸，选择切割线径为0.125～0.25mm和切削速度为0.1～0.5mmmin； B铣磨成型：根据图纸要求的铣磨公差，使用数控光学加工中心将切割后的熔石英铣磨至规定外形尺寸； 加工面的铣磨工序包括粗铣磨和精铣磨，非加工面的铣磨工序包括粗铣磨，其中粗铣磨工序的材料去除深度为d1，精铣磨工序的材料去除深度为d2； C等离子体深刻蚀：将精密铣磨成型后的熔石英元件放置在等离子体加工机床的载物台，并使用工装夹具将所述的熔石英元件固定；调节等离子体的刻蚀参数，使用等离子体加工机床对精密研磨后的元件进行深刻蚀，以完全去除熔石英元件表面和亚表面的损伤层，等离子体深刻蚀工序的材料去除深度为d3； D等离子体浅刻蚀：将等离子体深刻蚀后的熔石英元件放置在等离子体加工机床的载物台，并使用工装夹具将所述的熔石英元件固定；调节等离子体的刻蚀参数，使用等离子体加工机床等离子体深刻蚀后的元件进行浅刻蚀，去除表面的沉积物和合并元件表面的微结构，等离子体浅刻蚀工序的材料去除深度为d4； E离子束抛光后处理：对于等离子体浅刻蚀后熔石英元件，使用离子束抛光后处理，去除熔石英表面的污染物，离子束抛光后处理工序的材料去除深度为d5，最终获得均方根粗糙度优于1nm的光滑表面。

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