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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种全差分低失调高增益运算放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116722830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310758597.5，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种全差分低失调高增益运算放大器是由李泽宏;汪鑫;曾传扬设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全差分低失调高增益运算放大器在说明书摘要公布了：本发明属于运算放大器技术领域，具体涉及一种全差分低失调高增益运算放大器。本发明包括运算放大器核心和前馈共模反馈，运放放大器核心对差分信号进行放大，前馈共模反馈电路稳定输入输出的共模电压。本发明使用了浮动偏置的共栅级电路和高增益NPN管串联电阻作为电流镜，显著提高了增益，降低了输入失调电压，同时具有较高的输出摆幅和良好的稳定性，适合在模拟前端可编程增益电路使用。

本发明授权一种全差分低失调高增益运算放大器在权利要求书中公布了：1.一种全差分低失调高增益运算放大器，其特征在于，包括增益级电路、输出级电路、密勒补偿电路和前馈共模反馈电路； 所述增益级电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1和第二电阻R2；其中第三MOS管M3的源极接电源，其栅极接前馈共模反馈电路的共模反馈输出，其漏极接第一MOS管M1的源极和第二MOS管M2的源极；第一MOS管M1的栅极接放大器的负向输入端，其漏极接第四MOS管M4的源极；第二MOS管M2的栅极接放大器的正向输入端，其漏极接第五MOS管M5的源极；第四MOS管M4的栅极和第五MOS管M5的栅极连接浮动偏置电压，第四MOS管M4的漏极接第一三极管Q1的集电极，第五MOS管M5的漏极接第二三极管Q2的集电极；第一三极管Q1的基极和第二三极管Q2的基极接偏置电压，第一三极管Q1的发射极通过第一电阻R1后接地，第二三极管Q2的发射极通过第二电阻R2后接地； 所述密勒补偿电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电阻R3和第四电阻R4，所述输出级电路包括第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9；其中第六MOS管M6的源极接电源，其漏极通过第一电容C1和第三电阻R3后接第四MOS管M4的漏极和第九MOS管M9的栅极，第六MOS管M6的漏极还接第九MOS管M9的漏极，第六MOS管M6的栅极接前馈共模反馈电路的前馈输出；第七MOS管M7的源极接电源，其漏极通过第二电容C2和第四电阻R4后接第五MOS管M5的漏极和第八MOS管M8的栅极，第七MOS管M7的栅极接前馈共模反馈电路的前馈输出；第八MOS管M8的源极和第九MOS管M9的源极接地； 所述前馈共模反馈电路包括第三电容C3、第四电容C4、第五电阻R5、第六电阻R6、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14；其中第三电容C3和第五电阻R5构成第一并联电路，第一并联电路的一端接第十二MOS管M12的栅极，另一端接第七MOS管M7的漏极；第四电容C4和第六电阻R6构成第二并联电路，第二并联电路的一端接第十二MOS管M12的栅极，另一端接第六MOS管M6的漏极；第十MOS管M10的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第十二MOS管M12的漏极，第十MOS管M10的漏极为前馈共模反馈电路的共模反馈输出；第十一MOS管M11的源极接电源，其栅极和漏极互连，其漏极接第十三MOS管M13的漏极，第十一MOS管M11的漏极为前馈共模反馈电路的前馈输出；第十三MOS管M13的栅极接共模电源，第十三MOS管M13的源极接第十二MOS管M12的源极和第十四MOS管M14的漏极；第十四MOS管M14的栅极接偏置电压，其源极接地； 第六MOS管M6的漏极连接放大器的负向输出端，第七MOS管M7的漏极连接放大器的正向输出端。

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