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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体紫外激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310461386.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种半导体紫外激光器是由李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体紫外激光器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体紫外激光器，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱；调控载流子起伏的折射率色散，提升激光限制因子，提升模式增益，同时，降低未离化Mg受主的内部光学损耗，降低光波导的吸收损耗；所述第一上限制层的Mg呈倒V型分布，第二上限制层的Mg呈U型分布，第三上限制层的Mg呈线性分布，第四上限制层的Mg呈L形分布，从而在上限制层形成多重二维电子气，降低Mg受主离化能，提升Mg离化效率和空穴的输运效率，从而提升空穴注入有源层的效率和有源层中电子空穴的对称性和匹配性，提升激光器的峰值增益和斜率效率。

本发明授权一种半导体紫外激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体紫外激光器，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、上限制层（105），其特征在于：所述有源层（103）为阱层和垒层组成的量子阱；所述量子阱、上波导层和下波导层具有特定的禁带宽度梯度和厚度梯度，量子阱周期为w:1≤w≤3；所述有源层（103）的阱层为InGaN，禁带宽度为x:2.9eV≤x≤3.5eV，厚度为a:5≤a≤20埃米；所述有源层（103）的垒层为GaN，厚度为b:10≤b≤150埃米；所述量子阱的发光波长为360~420nm，所述下波导层（102）包括第一下波导层（102a）和第二下波导层（102b）；所述第一下波导层（102a）为GaN，厚度为c:30≤c≤600nm；所述第二下波导层（102b）为阱层为InGaN，禁带宽度为y:3.0eV≤y≤3.6eV，厚度为d:50≤d≤800nm；所述上波导层（104）为InGaN，禁带宽度为z：3.1eV≤z≤3.7eV，厚度为e:20≤e≤500nm，所述上限制层（105）包括第一上限制层（105a），第二上限制层（105b）、第三上限制层（105c）和第四上限制层（105d）；所述第一上限制层（105a）为AlGaN材料，禁带宽度为k:4.4eV≤k≤6.6eV，厚度为f:0.5≤f≤20nm；所述第二上限制层（105b）为AlGaN材料，禁带宽度为l:3.6eV≤l≤5.8eV，厚度为g:20≤g≤1000nm；所述第三上限制层（105c）为AlGaN材料，禁带宽度为m:3.6eV≤m≤5.8eV，厚度为h:20≤h≤1000nm；所述第四上限制层（105d）为GaN或InGaN材料，禁带宽度为n:2.8eV≤n≤3.6eV，厚度为j:0.5≤j≤800nm，所述量子阱、上波导层（104）和下波导层（102）的特定禁带宽度梯度和厚度梯度具有如下关系：0.5≤a≤e≤c≤d≤800nm，2.9eV≤x＜y＜z≤3.7eV，所述上限制层（105）的禁带宽度和厚度具有特定的禁带宽度梯度和厚度梯度，关系如下：2.8eV≤n＜m=l＜k≤6.6eV，j≤f≤g≤h，所述第一上限制层（105a）的Mg呈倒V型分布，第二上限制层（105b）的Mg呈U型分布，第三上限制层（105c）的Mg呈线性分布，第四上限制层（105d）的Mg呈L形分布，从而在上限制层（105）形成多重二维电子气，降低Mg受主离化能，提升Mg离化效率和空穴的输运效率，从而提升空穴注入有源层（103）的效率和有源层（103）中电子空穴的对称性和匹配性，提升电子空穴波函数的交叠几率，提升激光器的峰值增益和斜率效率。

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