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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116345307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310124406.X，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件是由李水清;王星河;陈婉君;季徐芳;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与下限制层之间和下波导层与有源层之间设有范德瓦斯非线性层。所述范德瓦斯非线性层将非拓扑变换路径转变为拓扑变换路径，抑制有源层的In组分涨落和应变，提升峰值增益，改善热稳定性和热退化，提升界面质量，降低非辐射复合中心，提升激光元件的激射功率和斜率效率；范德瓦斯非线性层使有源层的顶部和底部形成不对称势垒，提升载流子的隧穿几率，提升空穴在有源层的输运和注入均匀性，降低光场耗散，抑制光场泄漏到衬底，提升远场图像FFP质量。

本发明授权一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：下波导层（102）与下限制层（101）之间和下波导层（102）与有源层（103）之间设有范德瓦斯非线性层（107），所述范德瓦斯非线性层（107）将非拓扑变换路径转变为拓扑变换路径，抑制有源层的In组分涨落和应变，提升峰值增益，改善热稳定性和热退化，提升界面质量，降低非辐射复合中心，提升激光元件的激射功率和斜率效率；范德瓦斯非线性层使有源层的顶部和底部形成不对称势垒，提升载流子的隧穿几率，提升空穴在有源层的输运和注入均匀性，增强限制因子并降低阀值，同时，产生非线性极化诱导的谐波效应、共振位移和受激拉曼效应，降低光场耗散，抑制光场泄漏到衬底，提升远场图像FFP质量，所述范德瓦斯非线性层（107）为3R-MoS2、LiNbO3、LuFe2O4、Cr2Ce2Te6、Fe3GeTe2、InSnO2N的任意一种或任意组合。

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