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龙图腾网获悉广东越新微系统研究院申请的专利一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211474262.2，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法是由欧阳建生;康育贵;胡锐设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法，属于馈电天线技术领域，解决了现有技术中天线的工作带宽和扫描性能受限的问题。本发明包括多个阵列分布的双圆极化天线单元；天线单元的第一层介质的上表面和下表面均设有微带贴片；第三层介质的上表面设有第三金属地板和H形缝隙；第四层介质的上表面设有耦合微带线；第四层介质的下方设有同轴馈电内芯和同轴馈电外壳；同轴馈电内芯的上端连接耦合微带线，下端连接馈电端口。本发明通过设置金属过孔使双圆极化天线单元在由其组成的天线阵列中不会相互影响，从而可以获得更大的扫描角度和更宽的带宽。

本发明授权一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线及其馈电方法在权利要求书中公布了：1.一种W波段的双圆极化玻璃基阵列天线，其特征在于，包括多个阵列分布的双圆极化天线单元1； 所述双圆极化天线单元1包括：辐射层和馈电层；所述辐射层包括：第一层介质11和第二层介质12；所述馈电层包括：第三层介质13和第四层介质14； 所述辐射层设有多个第一金属过孔15，所述馈电层设有多个第二金属过孔16； 所述第一层介质11的上表面和第二层介质12的上表面均设有微带贴片；所述第三层介质13的上表面设有第三金属地板131，所述第三金属地板131上设有H形缝隙；所述H形缝隙有两个，分别为：第一H形缝隙132和第二H形缝隙133； 所述第四层介质14的上表面设有耦合微带线；所述耦合微带线包括第一耦合微带线142和第二耦合微带线143；所述第四层介质14的下方设有同轴馈电内芯和同轴馈电外壳；所述同轴馈电内芯贯穿所述第四层介质14，且所述同轴馈电内芯的上端连接耦合微带线，下端连接馈电端口； 所述第一层介质11的上表面还设有第一金属地板111；所述第一金属地板111为L形，且设置在第一层介质11上表面的四个角上；所述第二层介质12的上表面还设有第二金属地板121；所述第二金属地板121为L形，且设置在第二层介质12上表面的四个角上； 所述微带贴片包括：第一微带贴片112和第二微带贴片122；所述第一微带贴片112设置在所述第一层介质11的上表面；所述第二微带贴片122设置在第二层介质12的上表面；所述第一微带贴片112和第二微带贴片122均设有切角；所述第二微带贴片122的中心设有方孔123； 所述第四层介质14的上表面设有第四金属地板141；所述第四层介质14的下表面设有第五金属地板144；所述第一层介质11、第二层介质12、第三层介质13和第四层介质14自上而下依次排布，且均为玻璃材质；所述第一金属过孔15贯穿第一金属地板111、第一层介质11、第二金属地板121、第二层介质12和第三金属地板131；所述第二金属过孔16贯穿第三金属地板131、第三层介质13、第四金属地板141、第四层介质14和第五金属地板144。

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