中国科学院上海技术物理研究所范崔获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种低覆盖度模型两点变温杜瓦真空寿命评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115718978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211420178.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种低覆盖度模型两点变温杜瓦真空寿命评估方法是由范崔;王小坤;莫德锋;曾智江;范广宇;李俊;李雪设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低覆盖度模型两点变温杜瓦真空寿命评估方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低覆盖度模型两点变温杜瓦真空寿命评估方法，首先使用低覆盖度下的脱附速率方程作为杜瓦出气率模型，通过排气系统中离子泵抽速和真空获得杜瓦的整体出气率变化趋势。再使用在排气结束时两点变温的方法消除覆盖度影响，得到杜瓦整体出气激活能，最后使用出气激活能获得存储温度下初始出气率及出气率随时间变化的关系。根据杜瓦容积及截止真空评估杜瓦的真空寿命。本发明为无损检测评估方法，不会损坏探测器性能，实施便利，为小批量、多样化杜瓦的真空寿命提供了无损检测评估方法。
本发明授权一种低覆盖度模型两点变温杜瓦真空寿命评估方法在权利要求书中公布了：1.一种低覆盖度模型两点变温杜瓦真空寿命评估方法，其特征在于包括如下步骤： 1使用满足低覆盖度条件的一级脱附速率方程，通过快速两点变温的方法，得到不同温度T1和T2在同一覆盖度下的出气率q1和q2，求得杜瓦整体的气体脱附激活能Ed： 式中R为气体常数； 2杜瓦密封后的存储温度为T0，使用满足低覆盖度条件的一级脱附速率方程及上述脱附激活能Ed，获得杜瓦存储初始出气率q0： 式中T3和q3为杜瓦密封前的温度及出气率； 3使用满足低覆盖度条件的一级脱附速率方程及上述脱附激活能Ed、杜瓦初始出气率q0，获得存储时杜瓦出气率q随时间t变化的关系： 式中τ0是吸附态分子垂直于表面的振动周期，根据实际杜瓦体积，及终止真空，计算得到杜瓦的真空寿命。
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