恭喜台湾积体电路制造股份有限公司沈香谷获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011026228.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体结构及其制造方法是由沈香谷;陈殿豪设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体结构包括设置在金属线上方的第一钝化层，设置在第一钝化层上方的含铜RDL，其中含铜RDL电耦接至金属线，并且含铜RDL的与第一钝化层的上表面接触的部分形成锐角，以及设置在含铜RDL上方的第二钝化层，其中位于第二钝化层和含铜RDL的顶面之间的界面是弯曲的。半导体结构可以进一步包括设置在第二钝化层上方的聚合物层，其中聚合物层的部分延伸以接触含铜RDL，电耦接至含铜RDL的凸块以及设置在凸块上方的焊料层。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，包括： 提供设置在半导体衬底上方的互连结构，其中，所述互连结构包括金属线； 在所述金属线上方形成第一介电层； 图案化所述第一介电层以暴露第一开口中的所述金属线的部分； 在所述第一介电层上方形成图案成形层，从而填充所述第一开口； 在所述图案成形层中形成第二开口； 形成基脚轮廓以横向延伸所述第二开口，其中所述第二开口和所述基脚轮廓在不同的步骤形成； 在所述第二开口中形成再分布层RDL，从而使得所述再分布层电耦接至所述金属线，其中，所述再分布层包括弯曲的顶面；以及 在所述再分布层上方形成第二介电层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号