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龙图腾网恭喜广东汇芯半导体有限公司申请的专利一种高压驱动集成电路及智能功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111969880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010942322.3，技术领域涉及：H02M7/5387；该发明授权一种高压驱动集成电路及智能功率模块是由冯锴雄;杨忠添设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压驱动集成电路及智能功率模块在说明书摘要公布了：本申请提供一种高压驱动集成电路及智能功率模块，包括：一HVIC芯片；一逆变器单元，逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense‑LIGBT晶体管，LIGBT晶体管的基极和Sense‑LIGBT晶体管的基极均与HVIC芯片相连，LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，LIGBT晶体管的发射极与Sense‑LIGBT晶体管的集电极连接，Sense‑LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，主发射极与接地端连接；一电流采样单元，电流采样单元包括至少两个采样电阻，采样电阻一端分别与Sense‑LIGBT晶体管的次发射极和HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。

本发明授权一种高压驱动集成电路及智能功率模块在权利要求书中公布了：1.一种高压驱动集成电路，其特征在于，包括： 一HVIC芯片； 一逆变器单元，所述逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense-LIGBT晶体管，其中，所述LIGBT晶体管的基极和所述Sense-LIGBT晶体管的基极均与所述HVIC芯片相连，所述LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，所述LIGBT晶体管的发射极与所述Sense-LIGBT晶体管的集电极连接，所述Sense-LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，所述主发射极与接地端连接； 一电流采样单元，所述电流采样单元包括至少两个采样电阻，所述采样电阻一端分别与所述Sense-LIGBT晶体管的次发射极和所述HVIC芯片连接，另一端连接于接地端； 所述Sense-LIGBT晶体管由N个LIGBT单胞构成，所述N为大于2的自然数； 其中M个所述LIGBT单胞的发射极引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的次发射极，所述M为小于N的自然数；（N-M）个的所述LIGBT单胞的发射极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的主发射极； N个所述LIGBT单胞的集电极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的集电极，N个所述LIGBT单胞的基极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的基极； 所述HVIC芯片内设置有过流保护电路和逻辑处理电路，所述过流保护电路与逻辑处理电路连接； 所述HVIC芯片上设有至少两个ITRIP端口，所述采样电阻通过ITRIP端口与所述过流保护电路连接，所述过流保护电路用于识别所述高压驱动集成电路的每相电流的状况，对每相电流的过流保护点进行调整。

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