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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利传感器装置及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112840201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980066623.X，技术领域涉及：G01N21/27；该发明授权传感器装置及半导体装置是由中川贵史;池田隆之;福留贵浩设计研发完成，并于2019-10-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本传感器装置及半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种包括发光元件和传感器元件并具有柔性的半导体装置。该半导体装置包括传感器装置、处理器及通信装置。传感器装置在具有柔性的衬底上形成有第一像素和第二像素。第一像素包括发光元件和第一晶体管，第二像素包括具有光电转换功能的传感器元件和第二晶体管，发光元件射出的光具有峰波长。传感器元件所检测的波长范围包括该峰波长。第一晶体管的半导体层和第二晶体管的半导体层包含相同的元素，发光元件的像素电极具有与第一晶体管电连接的功能并且能够遮蔽对传感器元件的扩散光。

本发明授权传感器装置及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 传感器装置； 处理器；以及 通信装置, 其中，所述传感器装置包括形成在衬底上的第一像素和第二像素， 所述第一像素包括发光元件和第一晶体管， 所述第二像素包括具有光电转换功能的传感器元件和第二晶体管， 第一绝缘层设置在所述第一晶体管和所述第二晶体管上， 第一分隔壁设置在所述第一绝缘层上， 第二分隔壁设置在所述第一分隔壁上， 所述发光元件射出的光具有峰波长， 所述传感器元件检测的波长范围包括所述峰波长， 所述第一晶体管和所述第二晶体管的半导体层包含相同的元素， 所述发光元件包括的像素电极设置在所述第一绝缘层上并与所述第一晶体管电连接， 所述发光元件中的所述像素电极包括在所述第一分隔壁上并与其接触的区域，所述区域具有遮蔽对所述传感器元件的扩散光的功能， 所述第二分隔壁覆盖所述像素电极的在所述发光元件中的所述区域和所述传感器元件的像素电极的端部， 所述处理器运算所述传感器元件检测的光， 并且，所述通信装置发送所述运算的结果。

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