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龙图腾网恭喜中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利一种半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910390440.5，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种半导体封装结构及其制备方法是由吕娇;陈彦亨;吴政达;林正忠设计研发完成，并于2019-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，所述半导体封装结构包括：待封芯片，所述待封芯片包括衬底及位于衬底之上的金属化层，其中，所述待封芯片上表面带有对位标记；塑封层，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封层包括位于所述待封芯片上表面，与所述金属化层电性连接的金属柱、位于所述对位标记外围的半密封空腔以及包覆所述金属柱及半密封空腔的塑封料层；重新布线层，位于所述塑封层上表面，所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层。通过引入可以保护对位标记不被污染的半密封空腔，能够在塑封后，不用其他额外工艺，就可以直接暴露出对位标记，对于后续制程提供精确的定位。

本发明授权一种半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 1）提供一带有对位标记的待封芯片，所述待封芯片包括衬底以及位于衬底之上的金属化层，其中，所述对位标记位于金属化层上表面； 2）沉积金属柱，形成于所述待封芯片上表面，与所述金属化层电性连接； 3）固定半密封空腔，所述半密封空腔为一面开口其他面封闭的腔体，所述半密封空腔开口扣在对位标记之上，所述半密封空腔的固定方式包括贴装； 4）塑封，采用塑封料完全包覆所述金属柱及所述半密封空腔，在所述金属化层上形成塑封层； 5）研磨，研磨所述塑封层直至暴露出金属柱的上表面及对位标记； 6）形成重新布线层，所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层，其中，所述电介质层暴露出金属柱的上表面，所述金属线层与所述金属柱电性连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯长电半导体(江阴)有限公司，其通讯地址为：214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。