恭喜朗姆研究公司纳格拉杰·尚卡尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于增强图案化的停止蚀刻层沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111177993.6，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权用于增强图案化的停止蚀刻层沉积是由纳格拉杰·尚卡尔;卡普·瑟里什·雷迪;乔恩·亨利;张鹏翼;伊尔哈姆·莫希米;巴文·贾里瓦拉;阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉设计研发完成，并于2019-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于增强图案化的停止蚀刻层沉积在说明书摘要公布了：提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材M1的顶部添加光致抗蚀剂材料M2，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料M3保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料M5选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。
本发明授权用于增强图案化的停止蚀刻层沉积在权利要求书中公布了：1.一种用于处理衬底的方法，所述方法包括： 在衬底的基材M1的顶部添加光致抗蚀剂材料M2，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案； 在添加M2后，用氧化物材料M3保形地覆盖所述衬底； 在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充； 使填充材料M4转变为填充材料M4-2； 在所述转变之后，使停止蚀刻材料M5选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4-2的表面上生长； 在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4-2；以及 在去除M4-2之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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