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龙图腾网恭喜焕珏(上海)集成电路有限公司申请的专利一种双向对称TVS二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755529B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910251215.3，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种双向对称TVS二极管及其制造方法是由周伟伟;欧阳炜霞设计研发完成，并于2019-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向对称TVS二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双向对称TVS二极管及其制造方法，利用低压化学气相淀积的方法减少了热过程，实现了横向双向TVS，性能稳定，双向的对称性一致；利用干法加湿法的刻蚀方法，既保证窗口内的硅不被过刻，也保证窗口具有良好的形貌，有利于金属覆盖，提高了器件的可靠性，表面介质层用低压化学气相淀积生产的TEOS二氧化硅代替热氧生产的二氧化硅，大大减少了工艺中的热过程，降低了生产成本，提高了器件的稳定性。本发明TVS的一端通过穿通区连接到芯片背面，节省了芯片的面积。

本发明授权一种双向对称TVS二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双向对称TVS二极管制造方法，其特征在于，包括： S1、提供一个P型衬底，在P型衬底上生长N型外延； S2、在N型外延表面通过干法热氧化生长一层800Å的二氧化硅层，然后在650℃～750℃的低温条件下通过低压化学气相淀积的方法生长一层8000Å的TEOS二氧化硅，之后通过850℃，40分钟致密化TEOS二氧化硅； S3、在表面二氧化硅上通过光刻和湿法腐蚀，形成P+穿通区的窗口，然后通过硼注入的方式进行P+穿通区的掺杂，掺杂剂量为2.5E16ionscm²，能量为120KeV；掺杂后，在650℃～750℃的低温条件下通过低压化学气相淀积的方法生长一层6000Å的TEOS二氧化硅，然后在1250℃N2条件下推进1个小时； S4、光刻出P+有源区的窗口，先用干法刻蚀掉10000Å的二氧化硅，然后90℃带胶固化1小时后，再进行湿法腐蚀剩下的二氧化硅，腐蚀后进行5E15ionscm²的注入剂量，90KeV注入能量的硼注入，注入完成后用LPCVD的方法生长一层6000Å的TEOS二氧化硅，然后进行1000℃N2条件的推进； S5、通过干法和湿法相结合的方法，先干法腐蚀4500Å的二氧化硅，然后90℃带胶固化1小时后，再湿法腐蚀剩下的二氧化硅，同时在P+穿通区的12000ÅTEOS二氧化硅上和P+有源区6000ÅTEOS二氧化硅上进行开孔； S6、表面淀积金属AlSiCu，厚度为3㎛； S7、金属层上长一层钝化层，钝化层有两层结构，第一层结构为磷硅玻璃PSG，第二层结构为氮化硅，通过光刻刻蚀在钝化层上开孔，露出金属引线孔； S8、将P型衬底背部研磨至150㎛，然后在P型衬底背面淀积三层金属，分别为2000Å钛、3000Å镍和8000Å银。

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