浙江工业大学楼鸿雁获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510355964.6，技术领域涉及：H01P3/18；该发明授权基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导是由楼鸿雁;田野;沈林放设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导在说明书摘要公布了：本发明公开了基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，由单向传输区域和拼接在单向传输区域左右两侧结构相同、方向相反的两个人工磁导体层组成；单向传输区域为电不透明介质‑磁化半导体结构，人工磁导体由方形金属棒在电介质背景中周期延拓并置于金属地板上的结构构成；人工磁导体可以替代理想磁导体边界条件支持三维单向传输；本发明提供的波导结构实现了太赫兹波段下基于磁表面等离子的三维单向传输，为此类二维单向波导拓展至三维单向波导提供了解决方案，在非互易器件小型化方面具有重大应用前景。
本发明授权基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导在权利要求书中公布了：1.基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，其特征在于，由单向传输区域和拼接在单向传输区域左右两侧结构相同、方向相反的两个人工磁导体组成；人工磁导体由方形金属棒在电介质背景中周期延拓并置于金属地板上构成；单向传输区域为在PMC边界条件下的太赫兹二维USMP波导结构，即电不透明介质-磁化半导体结构，在理想磁导体边界条件下支持基于磁表面等离子的二维单向传输，人工磁导体替代理想磁导体边界条件，支持三维单向传输； 所述的电不透明介质-磁化半导体结构，其中的电不透明介质沿着轴正方向、轴正方向无限延展； 所述的电不透明介质相对介电常数为负值； 所述的电不透明介质-磁化半导体结构中，磁化半导体处在静磁场中，沿着轴正方向、轴负方向无限延展； 所述静磁场方向为轴正方向； 所述的磁化半导体为旋电磁光材料，在静磁场作用下，相对介电常数变为张量，具有以下形式，其中,，；其中为磁化半导体的等离子体角频率，为电子回旋频率，由施加的静磁场决定，为磁化半导体的高频相对介电常数，磁化半导体等离子体频率。
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