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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510354318.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏是由张雪;李美玲;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管制造技术领域，尤其涉及一种高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏。制备方法包括：提供外延片；形成导电台阶、刻蚀槽；形成第一钝化层、第二钝化层；将第二钝化层图案化，以使第二钝化层覆盖刻蚀槽的侧壁，并沿导电台阶的底壁延伸第一预设距离L1，沿刻蚀槽的底壁延伸第二预设距离L2；形成第三钝化层；开孔并形成第一电极、第二电极。其中，第三钝化层、第一钝化层的沉积速率相同，且小于第二钝化层的沉积速率。L1≥1.5μm，L2≥1.5μm；实施本发明，可提升LED芯片的可靠性。

本发明授权高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）提供外延片；其中，所述外延片包括衬底和依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层； （2）去除所述外延片上预设区域内的第二半导体层、有源层以及第一半导体层，形成导电台阶；所述导电台阶的侧壁与所述外延片的表面的夹角为α1； （3）去除步骤（2）得到的外延片上的预设区域的导电台阶，形成刻蚀槽；所述刻蚀槽的侧壁与所述外延片的表面的夹角为α2，α2＞α1； （4）以第一沉积速率在步骤（3）得到的外延片上沉积第一钝化层； （5）以第二沉积速率在所述第一钝化层上沉积第二钝化层；所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率； （6）将所述第二钝化层图案化，以使所述第二钝化层覆盖所述刻蚀槽的侧壁，并沿所述导电台阶的底壁延伸第一预设距离L1，沿所述刻蚀槽的底壁延伸第二预设距离L2，得到中间体；其中，L1≥1.5μm，L2≥1.5μm； （7）以第一沉积速率在所述中间体上沉积第三钝化层，所述第三钝化层覆盖所述第一钝化层和第二钝化层；且第三钝化层的厚度大于所述第一钝化层的厚度； （8）在所述导电台阶上形成贯穿所述第三钝化层和所述第二钝化层的第一电极孔，在所述第二半导体层上形成贯穿所述第三钝化层和所述第二钝化层的第二电极孔； （9）形成第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第一电极孔与所述第一半导体层电连接，所述第二电极通过第二电极孔与所述第二半导体层电连接。

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