电子科技大学孙阔获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种混合型钙钛矿基X射线成像探测器装置及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510323409.5，技术领域涉及：H10K39/36；该发明授权一种混合型钙钛矿基X射线成像探测器装置及制备方法是由孙阔;向勇;王辛瑜;韩婷设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种混合型钙钛矿基X射线成像探测器装置及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种混合型钙钛矿基X射线成像探测器装置及制备方法，涉及辐射探测领域。本发明通过在制备多孔钙钛矿薄膜基础上，制备填充材料，形成复合钙钛矿结构，并且使用横向电极结构，使得光电流横向交替流动经过钙钛矿材料和填充材料，从而提高了钙钛矿器件的稳定性，降低钙钛矿器件的漏电流。
本发明授权一种混合型钙钛矿基X射线成像探测器装置及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合型钙钛矿基X射线成像探测器装置，包括像素单元，其特征在于，所述像素单元的结构包括薄膜晶体管TFT基板、像素层、钙钛矿混合层、顶电极、封装层； TFT基板包括薄膜晶体管TFT和平坦化层； TFT基板上表面为像素层，包括像素定义层、像素电极，像素定义层定义像素电极的区域；在一个像素单元中，像素定义层将像素电极包裹在内，即像素定义层位于像素电极的外侧，像素电极包括第一像素电极、第二像素电极，第一像素电极、第二像素电极互相不接触，且位于同一平面；第一像素电极、第二像素电极之间为钙钛矿混合层；TFT导通第一像素电极，电流从第一像素电极经过钙钛矿混合层流向第二像素电极； 像素层上方为钙钛矿混合层，钙钛矿混合层具体包括第一钙钛矿材料和填充材料；其中第一钙钛矿材料为多孔结构或孤岛结构，填充材料对第一钙钛矿材料的空隙进行填充；第一钙钛矿材料和填充材料的材料不同； 钙钛矿混合层上表面为顶电极，顶电极上表面为封装层。
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