深圳大学韩成获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利基于二硫化钼和手性钙钛矿的光学突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510280948.5，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权基于二硫化钼和手性钙钛矿的光学突触器件及其制备方法是由韩成;谢子豪;郑越;张启涛设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二硫化钼和手性钙钛矿的光学突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于二硫化钼和手性钙钛矿的光学突触器件及其制备方法，涉及突触器件技术领域，公开了光学突触器件，包括依次设置的衬底、手性钙钛矿层、MoS2层和金属电极，其中，MoS2层完全覆盖手性钙钛矿层，并余留有未与手性钙钛矿层接触的非接触区，而金属电极则位于MoS2层的非接触区。本申请提高了光学突触器件对于圆偏振光信号的处理能力。
本发明授权基于二硫化钼和手性钙钛矿的光学突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二硫化钼和手性钙钛矿的光学突触器件，其特征在于，所述光学突触器件包括依次设置的衬底、手性钙钛矿层、MoS2层和金属电极； 所述MoS2层完全覆盖所述手性钙钛矿层，所述手性钙钛矿层的材料包括（R-NEA）PbI3和或（S-NEA）PbI3； 所述金属电极位于所述MoS2层的非接触区，其中，所述非接触区为所述MoS2层未与所述手性钙钛矿层接触的区域，所述金属电极包括在所述MoS2层的非接触区依次设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层的材料包括Cr，所述第二金属层的材料包括Au。
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