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中科艾科米(北京)科技有限公司赵剑获国家专利权

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龙图腾网获悉中科艾科米(北京)科技有限公司申请的专利高通量连续型粉体原子层沉积设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119753640B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510267081.X,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权高通量连续型粉体原子层沉积设备是由赵剑设计研发完成,并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

高通量连续型粉体原子层沉积设备在说明书摘要公布了:本发明的高通量连续型粉体原子层沉积设备,包括粉料自动上料系统、第一反应腔、第二反应腔、泵送系统、前驱体及载气输送系统、加热系统及控制系统,还包括:与第一反应腔连通的第一缓存腔,以对落入第一反应腔的粉料预加热;及与第二反应腔连通的第二缓存腔,以对落入第二反应腔的粉料预加热,本发明的高通量连续型粉体原子层沉积设备通过设置第一反应腔和第二反应腔以及分别与第一反应腔和第二反应腔连接的缓存腔,使粉体在进入反应腔前提前在预存腔预加热,并使粉体与不同前驱体的反应分别在不同反应腔进行,提高了宏量级粉体原子层沉积的制备效率。

本发明授权高通量连续型粉体原子层沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种高通量连续型粉体原子层沉积设备,其特征在于,包括粉料自动上料系统、第一反应腔、第二反应腔、泵送系统、前驱体及载气系统、加热系统和控制系统,其中, 所述第一反应腔,用于粉料与第一前驱体进行表面化学反应产生薄膜; 所述第二反应腔,用于在第一反应腔反应后的粉料与第二前驱体进行表面化学反应完成所需薄膜的生长; 所述泵送系统用于对所述第一反应腔及所述第二反应腔抽真空,或通过对所述第一反应腔及所述第二反应腔抽气,调整所述第一反应腔及所述第二反应腔内的压力,或将所述第一反应腔及所述第二反应腔内未吸附或未反应的前驱体和或反应副产物抽离; 所述前驱体及载气气路系统,用于向所述第一反应腔提供第一前驱体及载气,及向所述第二反应腔内提供第二前驱体及载气; 控制系统,用于控制整个原子层沉积流程的自动化操作;其中,还包括: 与所述第一反应腔连通的第一缓存腔,以对落入所述第一反应腔的粉料预加热;及分别与所述第一反应腔及所述第二反应腔连通的第二缓存腔,以对落入所述第二反应腔的粉料预加热; 所述第一反应腔和所述第二反应腔内分别设置有与反应腔的腔体同轴设置的粉料垂直提升装置及振动筛网,其中粉料经粉料垂直提升装置提升后与前驱体进行表面化学反应后通过振动筛网振动分散下落,并通过所述粉料垂直提升装置再次提升,往复循环。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中科艾科米(北京)科技有限公司,其通讯地址为:101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号院7号楼南端一至二层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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