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龙图腾网获悉陕西森旺信息技术有限公司申请的专利一种直流低功耗纳米级半导体电伴热膜片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510259520.2，技术领域涉及：H05B3/34；该发明授权一种直流低功耗纳米级半导体电伴热膜片是由王涛;罗俊;谭启瑞;曹昕卉;唐金科;曹青赟;邓豪设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种直流低功耗纳米级半导体电伴热膜片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种直流低功耗纳米级半导体电伴热膜片，本发明涉及电伴热膜片技术领域，包括制备发热层，制备电极层，在发热层和电极层之间添加隔热缓冲层制成电伴热膜片，本发明的优点在于：通过将纳米颗粒均匀分散有机半导体中，能够有效调节发热层的局部电阻，由于纳米颗粒的尺寸小且分布均匀，能够避免因局部电阻过大或过小而引起的热点或冷点现象，纳米颗粒与有机半导体之间的相互作用可以抑制热聚集，有机半导体在发热过程中可能会因为局部热量过高而导致材料性能下降或产生局部热应力，当局部出现热量集中时，纳米颗粒能够吸收多余的热量，并通过热传导将热量均匀地分散到周围的有机半导体材料中，从而避免了局部过热现象。

本发明授权一种直流低功耗纳米级半导体电伴热膜片在权利要求书中公布了：1.一种直流低功耗纳米级半导体电伴热膜片，包括制备发热层，制备电极层，在发热层和电极层之间添加隔热缓冲层制成电伴热膜片，其特征在于，所述直流低功耗纳米级半导体电伴热膜片具体制备步骤如下： 步骤一、将有机半导体材料与纳米银颗粒复合制成纳米-有机半导体墨水，通过喷墨打印机将纳米-有机半导体墨水喷涂在基底表面制成发热层； 步骤二、通过具有沟槽图案的模具在发热层基面上蚀刻出微纳沟槽； 步骤三、使用钛、二氧化锰和金三种材料进行顺序沉积制备出分层复合电极层，并在各电子级层之间界面处理，增强各电子极层之间的结合力和电荷传输性能； 步骤四、使用纳米-有机半导体材料制备具有中空结构的复合纤维； 步骤五、使用交织法将两种不同性质的纤维束交织制成隔热缓冲层； 步骤六、将发热层、电极层与隔热缓冲层组装成电伴热膜片，并进行性能测试和质量检验，对合格的电伴热膜片进行包装； 所述步骤二中，使用电子束光刻机在硅磨具表面绘制波浪型微纳沟槽图案，波浪的波长设置为1um-10um，振幅为100nm-500nm，沟槽的宽度设置为50nm-500nm，深度设置为100nm-1000nm，相邻沟槽的间距设置为200nm-1000nm，电子束光刻机的加速电压设置为5kV-30kV，束流设置为1nA-10nA，将带有微纳沟槽图案的硅模具放置在发热层材料表面，并放入热压印设备中，在100℃-150℃的温度下以50MPa-100MPa的压力压印5min-10min，压印完成后，使用氧气等离子体将沟槽图案转移到发热层材料上，蚀刻的功率设置为50W-200W，气压设置为0.5Pa-5Pa，蚀刻时间10min-60min，在发热层表面蚀刻出波浪型微纳沟槽图案； 所述步骤三中，使用钛作为复合电极层中的底层，采用磁控溅射技术在基底上沉积厚度为10nm-100nm的钛层，使用化学吸附在钛层表面引入羟基，将带有钛层的基底浸泡在含有过氧化氢和氢氧化钠的溶液中，在40℃-60℃的温度下反应30min-60min，在钛层表面形成羟基化的表面层，再将基底转移到含有锰离子的溶液中，通过Ti-O-Mn化学键使锰离子吸附在羟基化的钛层表面，使用二氧化锰作为复合电极层中的中间层，采用化学沉积法在底层表面沉积厚度为100nm-500nm的二氧化锰，将基底放入等离子体处理设备中，通入氧气作为反应气体，调节射频功率在50W-200W之间，处理时间为5min-30min,氧气等离子体在二氧化锰表面产生氧自由基和过氧自由基，使用金作为复合电极层中的顶层，采用磁控溅射技术在中间层上沉积厚度为50nm-200nm的金层，制备出电伴热膜片中的电极层。

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