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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种背接触电池及其制作方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510245271.1，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种背接触电池及其制作方法和光伏组件是由刘国梁;曾清华;张宏;王玉华;张津燕设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池及其制作方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制作方法和光伏组件，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，在硅片正面依次设置的正面钝化层和减反层，正面钝化层包括氢化非晶氧化硅层和氢化非晶硅层，氢化非晶氧化硅层的膜厚为0.5‑2nm，氢化非晶氧化硅层在制备时控制掺氧量以质量百分含量计在5%‑15%，氢化非晶氧化硅层和氢化非晶硅层厚度之比为1：2‑12。本发明有利于有效抑制硅片的晶硅界面处的外延与孪晶生长，能增强对晶硅表面的钝化效果，有利于提高电池的开路电压和填充因子、短路电流，进而提升电池转换效率。

本发明授权一种背接触电池及其制作方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S01、提供双面抛光的硅片； S02、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层； S03、在S02所得背面进行第一次刻蚀开口，形成第二半导体开口区； S04、通过制绒清洗，在硅片正面及第二半导体开口区上形成绒面，之后进行经过清洗去除硅片背面第二半导体开口区外的掩膜层的步骤或不进行去除掩膜层的步骤； S05、在S04所得背面沉积第二钝化层； S06、在S05所得硅片的正面依次形成氢化非晶氧化硅层和氢化非晶硅层；控制氢化非晶氧化硅层的膜厚为0.5-2nm，氢化非晶氧化硅层在制备时控制掺氧量以质量百分含量计在5%-15%，氢化非晶氧化硅层和氢化非晶硅层厚度之比为1：2-12； 其中，氢化非晶硅层的沉积过程包括：先在通入硅烷条件下进行高速短时沉积，之后在通入硅烷条件下中速沉积，形成薄膜中间体，然后进行氢等离子体处理，接着在通入硅烷和氢气的条件下以0.5-2Ås的沉积速率沉积至目标厚度；其中，高速短时沉积的条件包括：沉积速率为4-10Ås，沉积时长为1-5s；中速沉积的条件包括：沉积速率为0.5-2Ås，沉积时长为10-40s；氢等离子体处理的条件为：温度为180-230℃，反应压力为20-150Pa，处理时长为10-40s； S08、在背面沉积第二掺杂硅层，第二钝化层和第二掺杂硅层形成第二半导体层； S09、在S08所得正面沉积减反层。

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