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龙图腾网获悉苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利一种半导体器件的表面处理设备及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119747316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510230234.3，技术领域涉及：B08B7/00；该发明授权一种半导体器件的表面处理设备及其方法是由李泉灵;王俊;李波;周立;谭少阳;杨杰;闵大勇设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的表面处理设备及其方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光芯片表面处理技术领域，公开了一种半导体器件的表面处理设备及其方法，表面处理设备包括真空腔体、光源辐照装置、夹具和控制装置；真空腔体具有容纳空间和窗口，夹具位于容纳空间内，夹具用于固定至少一个待处理的半导体激光芯片，半导体激光芯片的解理腔面朝向窗口；光源辐照装置包括光源和温度检测组件，光源设置于窗口的外侧，温度检测组件用于检测解理腔面的温度，光源对应的光子能量大于半导体激光芯片的最大禁带宽度；控制装置用于打开光源，以及用于基于温度检测组件检测得到的解理腔面的温度调整光源的输出功率，使解理腔面的温度处于目标温度。本发明能够改善半导体激光芯片的核心部位因高温失效的情况。

本发明授权一种半导体器件的表面处理设备及其方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的表面处理设备，其特征在于，所述表面处理设备包括真空腔体、光源辐照装置、表面处理装置、散热装置、夹具和控制装置； 所述真空腔体具有容纳空间和窗口，所述夹具位于所述容纳空间内，所述夹具用于固定至少一个待处理的半导体激光芯片，且所述半导体激光芯片的解理腔面朝向所述窗口； 所述光源辐照装置包括光源和温度检测组件，所述光源设置于所述窗口的外侧，所述温度检测组件用于检测所述解理腔面的温度，所述光源对应的光子能量大于所述半导体激光芯片的最大禁带宽度，以使所述半导体激光芯片除所述解理腔面表面外其他区域无光子辐照，所述光源的波长小于紫外光波长； 所述控制装置用于打开所述光源，以对所述解理腔面进行光辐照，以及用于基于所述温度检测组件检测得到的所述解理腔面的温度调整所述光源的输出功率，使所述解理腔面的温度处于目标温度； 所述表面处理装置和所述光源辐照装置位于所述解理腔面的同一侧，所述表面处理装置通过等离子体物理轰击、结合还原气体化学还原以及辅助光化学反应过程，去除所述解理腔面的污染物，所述表面处理装置包括表面处理气源，所述表面处理气源设置于所述窗口的外侧； 所述控制装置还用于在所述解理腔面的温度处于目标温度时，打开所述表面处理气源，以基于光化学反应去除所述解理腔面的污染物，其中，所述光化学反应指通过所述光源的光子激发所述解理腔面的氧化物； 所述散热装置与所述夹具连接，用于为加热的所述半导体激光芯片作侧向散热，所述夹具的热导率大于或等于200Wm·K。

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