赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司宝拉·迪亚兹·雷戈萨获国家专利权
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龙图腾网获悉赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510174535.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由宝拉·迪亚兹·雷戈萨;尼克·吉尔·施耐德;拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，旨在降低导通损耗并优化器件性能。该器件包含排列的单元结构，单元结构包括：形成于基板上的漂移层；突出于基板的鳍片结构，由不同导电类型区域堆叠构成；相邻鳍片间形成凹陷；栅极通过介电层包覆鳍片并隔离，鳍片横向夹于凹陷间，凹陷深度至载流子扩展层；纵向相邻凹陷间距≤1μm；基板两侧分别形成源极发射极和漏极接触区域。横向凹陷宽度小于纵向源极发射极接触区域中断处的凹陷宽度。本发明通过在源极接触区域中断栅极，减弱了JFET效应，实现了低导通损耗和性能提升。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括多个排列的单元，所述单元包括： 漂移层，由第一导电类型基板形成； 其特征在于： 鳍片结构，排列在基板的第一主侧，并沿y方向突出，设置于半导体表面上方，其从上至下依次由第一导电类型区域、第二导电类型体区域和第一导电类型载流子扩展层区域堆栈组成； 两个相邻鳍片结构之间形成凹陷； 栅极，通过栅极介电层包覆于鳍片结构外并与鳍片结构隔离，其中每个鳍片结构在x方向上横向夹在两个凹陷之间，凹陷的深度大于或等于第一导电类型载流子扩展层区域所在位置的深度；两个z方向上纵向相邻凹陷之间的距离小于等于1μm； 在基板的第一主侧形成并连接到半导体器件的源极或发射极电极的接触区域； 在基板的第二主侧形成并连接到半导体器件的漏极的接触区域； 所述两个x方向上横向相邻的凹陷之间的宽度为d1，d1在亚微米或微米范围内，且凹陷在z方向上布置源极或发射极电极的接触区域中断，中断的宽度为d2，宽度d1宽度d2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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