江苏中科智芯集成科技有限公司;中国矿业大学吕复强获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏中科智芯集成科技有限公司;中国矿业大学申请的专利芯片的低温键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510157922.1，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权芯片的低温键合方法是由吕复强;陈正;李更;龚玉峰;张奎;童媛;姚大平设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片的低温键合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种芯片的低温键合方法，其包括：制备具有微凸点的上芯片，微凸点包括含Sn的低温材料；制备具有铜柱的下芯片，并降低铜柱的键合面的粗糙度；将微凸点和铜柱的键合面相对，并在真空环境下，以温度为50‑150℃，压力为10‑40MPa，脉冲电压为2‑6V，进行键合。本发明的芯片的低温键合方法能够实现低温键合，提高键合的稳定性，减少键合带来的热损伤，并且改善键合后上芯片、下芯片的基板出现翘曲问题。
本发明授权芯片的低温键合方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的低温键合方法，其特征在于，包括： 制备具有微凸点的上芯片，所述微凸点包括含Sn的低温材料，所述含Sn的低温材料包括：Sn-In材料、Sn-Bi材料和Sn-Zn材料； 制备具有铜柱的下芯片，并降低所述铜柱的键合面的粗糙度； 将所述微凸点和所述铜柱的键合面相对，并在真空环境下，以加温速率为45~50℃min将温度加温到50~150℃，在压力大于10MPa、且小于或等于40MPa，脉冲电压为2-6V的条件下，进行键合； 所述键合之后的冷却为随炉冷却。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏中科智芯集成科技有限公司;中国矿业大学，其通讯地址为：221001 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号凤凰湾电子信息产业园101-106厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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