北京科技大学吴勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种铁磁/重金属异质结自旋霍尔磁电阻调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510151485.2，技术领域涉及：H10N52/01；该发明授权一种铁磁/重金属异质结自旋霍尔磁电阻调控方法是由吴勇;石贤;徐晓光;姜勇设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁磁/重金属异质结自旋霍尔磁电阻调控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铁磁重金属异质结自旋霍尔磁电阻调控方法，包括：在不改变重金属材料以及不破坏铁磁重金属界面的情况下，在铁磁金属层和衬底之间引入反铁磁绝缘层，通过调控反铁磁绝缘层奈尔矢量的方向，对铁磁重金属异质结自旋流的反射和吸收进行调控，以改变自旋霍尔磁电阻的大小和符号。
本发明授权一种铁磁/重金属异质结自旋霍尔磁电阻调控方法在权利要求书中公布了：1.一种铁磁重金属异质结自旋霍尔磁电阻调控方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 将预处理后的衬底放入第一沉积系统腔内，基于第一预设沉积方法，在所述衬底上沉积形成薄膜，作为反铁磁绝缘层，所述反铁磁绝缘层采用反铁磁绝缘氧化物材料；通过设置沉积参数，控制所述反铁磁绝缘层的厚度，当所述反铁磁绝缘层厚度小于预设临界厚度时，其奈尔矢量垂直于所述衬底表面，当所述反铁磁绝缘层厚度不小于预设临界厚度时，其奈尔矢量平行于所述衬底表面； 将已沉积的反铁磁绝缘层转移至第二沉积系统腔内，基于第二预设沉积方法，将外延生长的反铁磁绝缘层作为底层，沉积预设材料的铁磁金属重金属异质结，得到由下至上依次为所述反铁磁绝缘层、铁磁金属层和重金属层的多层膜结构； 通过对所述反铁磁绝缘层奈尔矢量方向的调控，对所述铁磁重金属异质结自旋流的反射和吸收进行调控，以改变自旋霍尔磁电阻的大小和符号。
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