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龙图腾网获悉深圳市中顺半导体照明有限公司申请的专利一种背光用高色域发光半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510128650.2，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权一种背光用高色域发光半导体器件及其制备方法是由朱富斌;刘文军;谭亮;邓文峰;曾奎;李长根设计研发完成，并于2025-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背光用高色域发光半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于LED技术领域，解决现有技术背光源通常采用白光LED，无法满足高色域的要求的技术问题，提供了一种背光用高色域发光半导体器件及其制备方法，其包括：LED蓝光芯片和荧光粉；所述荧光粉包括绿色荧光粉和红色荧光粉，所述绿色荧光粉的峰值波长位于第一波长区间内，所述红色荧光粉的峰值波长位于第二波长区间内，所述第一波长区间为525‑545nm，所述第二波长区间为625‑635nm；所述LED蓝光芯片的主波长位于第三波长区间，所述第三波长区间为440‑470nm。本发明通过合理选择蓝光芯片及绿色和红色荧光粉的波长范围，可以大幅提高发光半导体器件的色域覆盖率，为高色域显示应用提供了理想的背光源。

本发明授权一种背光用高色域发光半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背光用高色域发光半导体器件的制备方法，其特征在于，发光半导体器件包括LED蓝光芯片； 荧光粉，包括绿色荧光粉和红色荧光粉，所述绿色荧光粉的峰值波长位于第一波长区间525-545nm内，所述红色荧光粉的峰值波长位于第二波长区间625-635nm内；所述LED蓝光芯片的主波长位于第三波长区间440-470nm，所述制备方法包括： 对EMC红铜基板进行加工处理，得到目标基板，其中，所述目标基板包括0.2毫米的红铜层以及100微米的附加铜层； 将所述LED蓝光芯片放置于圆杯型封装结构中，并将所述LED蓝光芯片固定于所述目标基板上； 根据第一预设比例称取所述红色荧光粉和所述绿色荧光，并均匀混合，得到混合荧光粉，包括： 对所述红色荧光粉的粒径范围进行划分，得到两个以上的第一目标粒径范围； 根据所述第一目标粒径范围对所述红色荧光粉进行筛分，得到属于不同第一目标粒径范围的目标红色荧光粉； 对所述绿色荧光粉的目标粒径范围进行划分，得到两个以上的第二目标粒径范围； 根据所述第二目标粒径范围对所述绿色荧光粉进行筛分，得到属于不同第二目标粒径范围的目标绿色荧光粉； 根据所述第一目标粒径范围和所述第二目标粒径范围的差异程度，确定属于第一目标粒径范围对应的红色荧光粉与属于所述第二目标粒径范围的绿色荧光粉之间的对应关系； 根据所述对应关系和所述第一预设比例，分别将各所述目标红色荧光粉与相对应的目标绿色荧光粉加入搅拌设备进行预混合，得到若干预混荧光粉； 根据第二预设比例，依次将所述预混荧光粉加入搅拌设备均匀混合，得到所述混合荧光粉； 将混合荧光粉缓慢加入AB固化封装胶中，继续搅拌，确保荧光粉在胶体中分布均匀，得到混合胶体； 将所述混合胶体涂覆在所述LED蓝光芯片的表面，在预设温湿度条件下进行固化，在预设时间后得到目标发光半导体器件。

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