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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制造方法、晶片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510038730.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体器件及制造方法、晶片结构是由谢炜;黄发军;罗成志设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制造方法、晶片结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制造方法、晶片结构，该制造方法包括：半导体结构包括器件核心区域、划片道区域、半导体本体、第一电极、第一绝缘层和缓冲层；第一绝缘层至少位于划片道区域；第一电极位于第一绝缘层远离半导体本体的一侧；缓冲层位于器件核心区域；在缓冲层远离第一电极的一侧形成钝化层，且钝化层位于器件核心区域和划片道区域；去除器件核心区域和划片道区域的至少部分钝化层；去除划片道区域的第一绝缘层，缓冲层在第一绝缘层的去除过程中至少部分保留，并覆盖第一电极；去除缓冲层；在划片道区域进行划片切割。本发明实施例提供的技术方案，提高了半导体器件制造过程中，在划片道区域进行划片切割的切割精度。

本发明授权半导体器件及制造方法、晶片结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括器件核心区域和划片道区域；所述划片道区域位于所述器件核心区域的一侧；所述半导体结构还包括半导体本体、第一电极、第一绝缘层和缓冲层；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一绝缘层位于所述第一表面，且至少位于所述划片道区域；所述第一电极位于所述第一绝缘层远离所述半导体本体的一侧，且位于所述器件核心区域；所述缓冲层位于所述第一电极远离所述半导体本体的表面，且所述缓冲层位于所述器件核心区域； 在所述缓冲层远离所述第一电极的一侧形成钝化层，且所述钝化层位于所述器件核心区域和所述划片道区域； 去除所述器件核心区域和所述划片道区域的至少部分所述钝化层； 去除所述划片道区域的所述第一绝缘层，所述缓冲层在所述第一绝缘层的去除过程中至少部分保留，并覆盖所述第一电极； 去除至少部分所述缓冲层； 在划片道区域进行划片切割； 提供半导体结构包括： 提供半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体本体还包括阱区和第一区域，所述第一区域为第一导电类型且位于所述第一表面，所述阱区为第二导电类型且位于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述第一表面设置有源极沟槽，所述源极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述半导体本体还包括第二绝缘层和第三绝缘层，所述第二绝缘层位于所述栅极沟槽的底面和侧壁，所述第三绝缘层位于所述源极沟槽的底面和侧壁； 在所述栅极沟槽内所述第二绝缘层远离所述半导体本体的一侧形成栅极，所述第二绝缘层用于绝缘间隔所述半导体本体和所述栅极； 在所述栅极远离所述半导体本体的一侧形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极； 在所述源极沟槽内所述第三绝缘层远离所述半导体本体的一侧形成沟槽源极结构；所述沟槽源极结构包括填充层，所述第三绝缘层用于绝缘间隔所述半导体本体和所述填充层； 在所述第一表面远离所述第二表面的一侧形成第一电极，所述第一电极为源极；所述层间绝缘层用于绝缘间隔所述栅极和所述源极； 在所述半导体本体的第二表面形成漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。