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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种功率MOSFET栅极驱动芯片的版图布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791404.7，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种功率MOSFET栅极驱动芯片的版图布局结构是由徐殿国;支帅青设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率MOSFET栅极驱动芯片的版图布局结构在说明书摘要公布了：一种功率MOSFET栅极驱动芯片的版图布局结构，涉及集成电路设计领域，它包括电源模块、电流镜模块、逻辑控制模块、偏置模块、开通模块和关断模块，所述开通模块包括充能NMOS组，所述关断模块包括泄放NMOS组；所述各模块通过第三金属导电层M3、第四金属导电层M4和顶层金属导电层TM1完成互联；所述版图布局中与端口VDD1和端口GND互联的顶层金属导电层TM1和第四金属导电层M4环绕版图布局，提供了良好的稳定性。所述版图布局结构中与端口Vout和端口GND2互联的顶层金属TM1在短距离下完成电气连接，在实现功能的基础上降低寄生电感和寄生电阻，实现高通流能力的同时缩小了版图布局所需面积，满足了业界厂商对电力电子装置的高功率密度需求。

本发明授权一种功率MOSFET栅极驱动芯片的版图布局结构在权利要求书中公布了：1.一种功率MOSFET栅极驱动芯片的版图布局结构，该驱动芯片用于驱动外部功率MOSFET，其特征在于，它包括电源模块（1）、逻辑控制模块（2）、电流镜模块（3）、偏置模块（4）、开通模块（5）、关断模块（6）、输入端口Vin（10）、输入端口VDD1（11）、输入端口VDD2（12）、输出端口Vout（13）、端口GND（14）、端口PARA（15）和端口GND2（16）， 所述电源模块（1）的输入端连接输入端口VDD1（11），其输出端连接所述逻辑控制模块（2）、电流镜模块（3）、偏置模块（4）的输入端和端口GND（14）； 所述逻辑控制模块（2）的输入端连接输入端口Vin（10），其输出端连接所述开通模块（5）、关断模块（6）的输入端和端口GND（14）； 所述电流镜模块（3）的输入端连接所述电源模块（1）的输出端，其输出端连接所述开通模块（5）、关断模块（6）的输入端和端口GND（14）； 所述偏置模块（4）的输入端连接所述电源模块（1）的输出端和端口PARA（15），其输出端连接所述开通模块（5）、关断模块（6）的输入端和端口GND（14）； 所述开通模块（5）包含充能NMOS组（NLDMOS1），所述开通模块（5）的输入端连接所述逻辑控制模块（2）的输出端、所述偏置模块（4）的输出端和输入端口VDD2（12），所述开通模块（5）的输出端连接输出端口Vout（13）和端口GND（14）； 所述关断模块（6）包含泄放NMOS组（NLDMOS2），其输入端连接逻辑控制模块（2）的输出端、偏置模块（4）的输出端和端口GND2（16）。

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