国芯微电子(广东)有限公司成年斌获国家专利权
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龙图腾网获悉国芯微电子(广东)有限公司申请的专利一种微型低感双面散热型半导体功率分立器件及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119252806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411760633.2,技术领域涉及:H01L23/38;该发明授权一种微型低感双面散热型半导体功率分立器件及制备方法是由成年斌;黄统华;王铁柱;梁禧龙;林什信设计研发完成,并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型低感双面散热型半导体功率分立器件及制备方法在说明书摘要公布了:本申请属于半导体器件技术领域,公开一种微型低感双面散热型半导体功率分立器件及制备方法,包括TEC基板、芯片、多个钼粒和塑封体,其中TEC基板包括散热板、PN结层和集热板,芯片贴装在集热板底部,多个钼粒与芯片的各电极焊贴连接,塑封体包裹TEC基板、芯片和钼粒,且散热板顶部和钼粒底部外露;这种结构设计通过TEC基板实现主动散热,同时利用钼粒替代传统引脚并取消内部引线或导电片,减小了寄生参数,具有散热性能好、电气特性优异、体积小的优点。
本发明授权一种微型低感双面散热型半导体功率分立器件及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种微型低感双面散热型半导体功率分立器件,其特征在于,包括: TEC基板(1),所述TEC基板(1)包括从上到下依次叠置的散热板(101)、PN结层(102)和集热板(103);所述集热板(103)的下表面设置有第一覆铜层(104);所述TEC基板(1)上还朝下设置有正极焊盘和负极焊盘,所述正极焊盘和所述负极焊盘分别与所述PN结层(102)的正负电流输入端电连接; 芯片(2),所述芯片(2)贴装在所述集热板(103)底部,所述芯片(2)的顶部设置有漏极,所述芯片(2)的底部设置有栅极(201)、开尔文源极(202)和源极(203),所述漏极与所述第一覆铜层(104)焊贴连接; 多个钼粒(3),其中包括与所述栅极(201)焊贴连接的栅极钼粒(301)、与所述开尔文源极(202)焊贴连接的开尔文源极钼粒(302)、与所述源极(203)焊贴连接的源极钼粒(303)、与所述第一覆铜层(104)焊贴连接的漏极钼粒(304)、与所述正极焊盘焊贴连接的正极钼粒(305)以及与所述负极焊盘焊贴连接的负极钼粒(306);所述钼粒(3)用于与外部电路电连接; 塑封体(4),所述塑封体(4)包裹所述TEC基板(1)、所述芯片(2)和所述钼粒(3),且所述散热板(101)的顶部和各所述钼粒(3)的底部外露。
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