恭喜枘熠集成电路(上海)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜枘熠集成电路(上海)有限公司申请的专利一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN109060860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811071009.6,技术领域涉及:G01N23/2258;该发明授权一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2018-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置,用于诊断离子注入是否存在异常,包括以下步骤:S1,微调机台;S2,第一决策阶段,机台进行离子注入剂量偏差自校验,若离子注入剂量偏差小于1%,则转到步骤S3,若离子注入剂量差大于等于1%,则转到步骤S1;S3,进行异常点检测与剔除;S4,进行曲线平滑处理并进行模型诊断;S5,计算相关的非参数量化指标并按照该指标进行二次离子质谱分析曲线的比较;S6,若所述指标满足阈值,则该次离子注入正常;若不满足阈值,则该次离子注入异常,转到步骤S1。解决现有技术中二次离子质谱分析曲线的比较参数过于主观,离子注入结果分析不全面的问题,有效的实现早期检测和指导从业人员及时制定解决方案,减少偏差的影响。
本发明授权一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种二次离子质谱分析曲线的比较方法,用于诊断离子注入是否存在异常,其特征在于,包括以下步骤: S1,微调机台; S2,第一决策阶段,机台进行离子注入剂量偏差自校验,若离子注入剂量偏差小于1%,则转到步骤S3,若离子注入剂量差大于等于1%,则转到步骤S1; S3,进行异常点检测与剔除; S4,进行曲线平滑处理并进行模型诊断; S5,计算相关的非参数量化指标并按照该指标进行二次离子质谱分析曲线的比较; S6,若所述指标满足阈值,则该离子注入正常;若不满足阈值,则该离子注入异常,转到步骤S1; 所述非参数量化指标为“差异百分比D”,其计算公式为, 其中,GAx和GBx为给定的两个SDP曲线平滑函数,a代表浅区深度值,b 代表深区深度值; 或, 所述非参数量化指标为柯尔莫可洛夫-斯米洛夫K-S统计量DKS,其公式为DKS=max|Fx-Gx|,其中,Fx和Gx代表两个SDP曲线的经验累积分布函数。
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