恭喜美光科技公司J·D·霍普金斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有垂直间隔的通道材料段的集成组合件及形成集成组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114080683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080049426.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有垂直间隔的通道材料段的集成组合件及形成集成组合件的方法是由J·D·霍普金斯;S·索尔斯;J·D·格林利设计研发完成，并于2020-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直间隔的通道材料段的集成组合件及形成集成组合件的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠的NAND存储器阵列。所述导电层级包含端子区，且包含靠近所述端子区的非端子区。所述端子区在垂直方向上比所述非端子区厚，且配置为彼此垂直上下堆叠且彼此垂直间隔的段。块邻近于所述段且具有与所述段近似相同的垂直厚度。所述块包含高介电系数材料、电荷阻挡材料及电荷存储材料。通道材料沿着所述堆叠垂直延伸且邻近于所述块。一些实例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
本发明授权具有垂直间隔的通道材料段的集成组合件及形成集成组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成结构，其包括： 交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠； 所述导电层级具有端子区，且具有靠近所述端子区的非端子区；所述端子区在垂直方向上比所述非端子区厚，且具有第一垂直厚度； 电介质屏障材料，其邻近所述端子区，所述电介质屏障材料配置为彼此垂直上下堆叠且彼此垂直间隔的第一段，所述第一段具有第二垂直厚度； 电荷阻挡材料，其邻近所述电介质屏障材料；所述电荷阻挡材料配置为彼此垂直上下堆叠且彼此垂直间隔的第二段，所述第二段具有第三垂直厚度； 电荷存储材料，其邻近所述电荷阻挡材料；所述电荷存储材料配置为彼此垂直上下堆叠且彼此垂直间隔的第三段，所述第三段具有第四垂直厚度；所述第一、第二、第三及第四垂直厚度彼此大约相同； 电荷通路材料，其邻近所述电荷存储材料；及 通道材料，其邻近所述电荷通路材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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