恭喜世界先进积体电路股份有限公司巫建勋获国家专利权
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龙图腾网恭喜世界先进积体电路股份有限公司申请的专利磁阻装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911044722.6，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权磁阻装置及其形成方法是由巫建勋;张正平;李建辉;杨岱宜;陈永祥设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁阻装置及其形成方法。该磁阻装置包含设置于衬底之上的磁阻、覆盖磁阻的侧表面的应力释放结构、设置于磁阻之上的电连接结构、以及设置于电连接结构和应力释放结构之上的钝化层。本发明通过形成应力释放结构覆盖磁阻的侧表面，释放了施加于磁阻的应力，可以避免磁阻的图案边缘处发生局部裂开，进而避免磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题。因此，本发明能提升磁阻装置的制造良品率。
本发明授权磁阻装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种磁阻装置，其特征在于，包括： 一磁阻，设置于一衬底之上； 一应力释放结构，覆盖该磁阻的一侧表面； 一电连接结构，设置于该磁阻之上；以及 一钝化层，设置于该电连接结构和该应力释放结构之上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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