恭喜英飞凌科技股份有限公司C·盖斯勒获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910596692.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法是由C·盖斯勒;W·哈特纳;C·韦希特尔;M·沃杰诺维斯基设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法，方法包括提供至少一个半导体组件，其中至少一个半导体组件中的每个包括：半导体芯片，其中半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面，和布置在半导体芯片的相对置的第二主表面上的牺牲材料。该方法还包括用包封材料包封至少一个半导体组件。该方法还包括去除牺牲材料，其中在至少一个半导体芯片中的每个上形成包封材料中的凹部。该方法还包括将至少一个盖布置在至少一个凹部上，其中通过至少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片的每个上形成封闭空腔。
本发明授权具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体的方法，包括： 提供半导体组件， 其中，所述半导体组件中的每个半导体组件包括： 半导体芯片， 其中所述半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面，以及 牺牲材料，被布置在所述半导体芯片的所述第二主表面上方；用包封材料层包封所述半导体组件； 其中所述半导体芯片的所有侧壁都被所述包封材料层覆盖并与所述包封材料层接触， 去除所述牺牲材料， 其中，在所述半导体芯片上方，基于去除所述牺牲材料而在所述包封材料中形成凹部 其中基于去除所述牺牲材料，整个所述第二主表面被暴露于气体；并且 其中，在到所述第二主表面上的正交投影中，所述凹部的基面至少部分地超过所述半导体芯片的基面伸出；以及 将盖布置在所述凹部上方， 其中通过所述凹部和所述盖在所述半导体芯片上方形成空腔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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