恭喜三星电子株式会社张祐赈获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有杂质掺杂电介质区的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109817725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811343029.4，技术领域涉及：H10D30/69；该发明授权具有杂质掺杂电介质区的半导体器件是由张祐赈;卢英辰;梁俊圭;金斐悟;安敬源设计研发完成，并于2018-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有杂质掺杂电介质区的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括在基板上的包含层间绝缘层和栅电极在内的竖直堆叠结构。阻挡电介质区设置在堆叠结构中的开口的侧壁上。提供了侧向杂质区，在阻挡电介质区和层间绝缘层之间以及在阻挡电介质区和栅电极之间延伸。还提供了下部杂质区，在阻挡电介质区和基板之间延伸。
本发明授权具有杂质掺杂电介质区的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 阻挡电介质，设置在下部区上； 堆叠结构，包括面向所述阻挡电介质的栅电极和层间绝缘层； 侧向杂质区，被设置为以所述层间绝缘层和所述阻挡电介质之间的第一边界为中心，在所述层间绝缘层中与所述第一边界相邻并且在所述阻挡电介质中与所述第一边界相邻；以及 下部杂质区，被设置为以所述下部区和所述阻挡电介质之间的第二边界为中心，在所述下部区中与所述第二边界相邻并且在所述阻挡电介质与所述第二边界相邻， 其中，所述层间绝缘层中的其中设置有所述侧向杂质区的区域是所述层间绝缘层的一部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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